目录 1
第1章 半导体器件基础 1
1.1 晶体结构和能带结构 1
1.2 在热平衡状态下的载流子浓度 2
1.3 漂移现象 2
1.4 晶格振动和热的性质 3
1.5 光电效应 4
1.6 强电场效应 5
1.7 半导体器件分析的基本方程式 5
第2章 半导体二极管 6
2.1 pn结，肖特基接触二极管 6
2.2 MOS二极管 8
第3章 双极型晶体管 9
3.1 概述 9
3.2 直流的基本工作 9
3.3 小信号特性 11
3.4 大振幅工作 13
3.5 晶体管的噪声 14
3.6 晶体管的种类和结构 14
第4章 场效应晶体管 16
4.1 概述 16
4.2 MOS型场效应晶体管 16
4.3 结型场效应晶体管 19
5.2 反向阻断三极晶闸管的工作原理 21
5.1 晶闸管的定义及其种类 21
第5章 晶闸管 21
5.3 反向阻断三极晶闸管的特性额定值 22
5.4 其它晶闸管 23
5.5 晶闸管的结构 23
第6章 微波半导体器件 24
6.1 概述 24
6.2 结型微波二极管 24
6.3 微波晶体管 25
6.4 渡越时间效应微波二极管 26
第7章 光电器件 28
7.1 发光二极管（LED） 28
7.2 半导体激光器 29
7.3 雪崩光电二极管（APD） 30
7.4 摄像器件 31
7.5 光调制器 31
7.6 光偏转器 32
第8章 集成电路 33
8.1 双极型集成电路 33
8.2 MOS集成电路 35
8.3 混合集成电路 37
第9章 半导体器件的材料和制造技术 39
9.1 半导体器件制造技术概要 39
9.2 硅的氧化膜生长 40
9.3 杂质扩散技术 41
9.4 离子注入技术 42
9.6 集成电路的制作工艺流程 43
9.5 光刻技术 43
第10章 半导体器件的测试（包括集成电路） 44
10.1 额定值和标准 44
10.2 二极管的测试法 44
10.3 双极型晶体管的测试法 45
10.4 场效应晶体管的测试法 46
10.5 晶闸管的测试法 47
10.6 集成电路的测试法 47
第11章 电子管基础 48
11.1 电子发射及其有关现象 48
11.2 真空中的电子运动 50
11.3 空间电荷效应 50
11.4 空间电荷波 51
11.5 电子流和电路的相互作用 52
11.6 电子管的噪声 52
第12章 一般电子管 53
12.1 二极管 53
12.2 三极管 54
12.3 多极管 55
12.4 发射管 56
第13章 微波电子管 57
13.1 盘封管 57
13.2 速调管 57
13.3 行波管 59
13.4 磁控管 61
13.5 其它微波管 62
14.1 布劳恩管（阴极射线管） 63
第14章 特殊电子管和放电管 63
14.2 摄像管 65
14.3 光电管和光电倍增管 67
14.4 图像增强器 67
14.5 信号发生管和飞点扫描器（FSS） 67
14.6 放电管 67
第15章 电子管的设计、制造和测试 68
15.1 电子管的设计 68
15.2 制造与测试 70
16.1 激光器的基本特点 72
16.2 固体激光器 72
第16章 激光 72
16.3 气体激光器 73
16.4 液体激光器 73
16.5 半导体激光器 74
16.6 波长可调谐激光器 74
16.7 产生相干光的非线性光学器件 75
第17章 其他电子装置及元器件 75
17.1 概述 75
17.2 热电元件 75
17.3 光电元件 76
17.4 电磁元件 77
17.5 压力转换元件 78
17.6 气体检测元件 78
参考文献 78