目录 1
序言 1
1．半导体中的导电过程 1
1.1 绪论 1
1.2 霍耳效应和电导率 1
1.3 电子导电理论 4
1.4 半导体的Wilson模型 9
1.5 早期对于硅和锗的研究工作：本征导电的观测 12
1.6 对于硅和锗研究的最近进展 16
1.7 对输运性质的最近研究 20
参考文献 21
2．输运性质及其测量方法 22
2.1 电导率、霍耳效应及磁阻效应 22
2.2 厄廷好森、能斯脱和里纪-勒杜克效应 25
2.3 温差电效应 28
2.4 热导率 30
2.5 测量输运性质所需的一般条件 32
2.6 电导率、霍耳系数及磁阻效应的测量 41
2.7 热导率、温差电效应和热磁效应的测量 52
2.8 实际应用 59
参考文献 60
3．各向同性固体里的传导 62
3.1 绪论 62
3.2 电子浓度：费密-狄喇克统计法 62
3.3 电导率的计算：弛豫时间 66
3.4 热导率和温差电功率 70
3.5 有磁场存在时输运性质的普遍方程 74
3.6 霍耳效应 78
3.7 电流磁效应的普遍表式 79
3.8 正空穴 82
3.9 混合导体 82
3.10 简并的导体 87
3.11 有限磁场中的行为：磁阻效应 93
参考文献 96
4．典型半导体的行为 97
4.1 数字实例 97
4.2 实际半导体的能带 99
4.3 霍耳系数和载流子浓度的关系 104
4.4 混合导电 105
4.5 在本征导电开始附近，霍耳系数和电导率的行为 113
4.6 混合导体的霍耳系数对磁感应的依赖关系 117
4.7 本征导电 120
4.8 含有多种杂质中心的系统：杂质中心可容纳多个电子 128
4.9 杂质中心的互作用 133
4.10 电子散射、弛豫时间、迁移率 134
4.11 结构灵敏导电 149
4.12 薄膜和烧结样品 150
4.13 表面沟效应 152
4.14 表面寿命对电流磁效应的影响 154
4.15 杂带导电 156
4.16 磁阻效应 161
4.17 强磁场中的量子效应 169
4.18 温差电效应和热导率 174
4.19 能斯脱、厄廷好森及里纪-勒杜克效应 180
参考文献 184
5．半导体电学性质概述 187
5.1 半导体材料的趋向 187
5.2 IVB族元素 189
5.3 Ⅲ-Ⅴ族化合物 204
5.4 硫化铅、硒化铅及碲化铅 216
5.5 Ⅱ-Ⅵ族化合物 223
5.6 其他单质半导体 229
5.7 其他化合物半导体 235
参考文献 245
人名索引 249
索引 253