第一章 小尺寸MOS器件模型 1
第一节 GCA及其局限性 1
第二节 沟道区离子注入作用 4
第三节 开启电压的短窄沟效应 15
第四节 表面迁移率的纵向电场效应 23
第五节 源漏电流IDS 25
第六节 沟长调制效应 35
第七节 电荷守恒电容模型 39
第八节 次开启电流 50
第一节 Scaling-Down的基本原理 59
第二章 器件尺寸缩小及其限制 59
第二节 源漏穿通及次开启 62
第三节 热载流子效应 66
第四节 反型层电容分压 72
第五节 内连线对延迟时间的影响 73
第六节 尺寸缩小的限制分析 77
第三章 VLSI随机存储器 80
第一节 DRAM单元 80
第二节 灵敏恢复放大器 86
第三节 DRAM总体结构 102
第四节 NMOSDRAM电路形式及性能 104
第五节 CMOSDRAM 113
第六节 Mb级DRAM 118
第七节 VLSISRAM 123
第八节 冗余容错技术 129
第九节 专用RAM 139
第四章 运算电路 143
第一节 算术逻辑单元（ALU） 143
第二节 其他运算器电路 151
第三节 乘法器 157
第五章 控制电路 165
第一节 简单控制器 165
第二节 存储程序控制 166
第三节 微程序控制 169
第六章 专用集成电路 178
第一节 门阵列 179
第二节 标准单元法 187
第三节 ROM基专用电路 192
第七章 GaAs高速集成电路及其他新型高速电路 211
第一节 材料的性质 211
第二节 组成高速数字电路的器件 212
第三节 电路形式 215
第四节 几种高速GaAsVLSI 218
第五节 高速BiCMOS技术 221
第六节 高速低温CMOS电路 226