第一章 半导体的光学系数 1
1 光辐射与光 1
2 折射率 2
3 吸收系数 4
4 反射系数 5
5 透射系数 7
第二章 半导体对光的吸收 10
1 本征吸收 10
1.1 允许直接跃迁 11
1.2 禁戒直接跃迁 12
1.3 间接能谷之间的间接跃迁 12
1.4 布尔斯坦—莫斯移动 15
1.5 与能带尾有关的跃迁 15
2 电场、压力和温度对本征吸收的影响 17
2.1 有强电场时的本征吸收 17
2.2 压力对本征吸收限的影响 20
2.3 温度的影响 22
3 能量比禁带宽度高时的吸收跃迁 23
4 激子吸收 25
4.1 直接和间接激子吸收 25
4.2 有电场时的激子吸收 28
5 等电子中心束缚激子吸收 29
6 能带与杂质能级之间的吸收跃迁 30
7 受主与施主间的吸收跃迁 32
8 自由载流子吸收 34
8.1 无选择性自由载流子吸收 34
8.2 选择性自由载流子吸收 37
第三章 半导体的光电效应 41
1 光电导 41
1.1 本征光电导和杂质光电导 41
1.2 光电导机理 44
1.3 光电导灵敏度 46
1.4 光电导与光强度的关系 47
1.5 陷阱的影响 50
1.6 表面对光电导的影响 52
1.7 噪声 54
1.8 从光电导确定吸收系数 55
2 光生伏特效应 56
2.1 p-n结的光生伏特效应 56
2.2 异质结的光生伏特效应 62
2.3 肖特基势垒的光生伏特效应 65
2.4 体积光生伏特效应 67
3 光电子发射 72
3.1 体积光电效应 72
3.2 半导体的光电发射阈 72
3.3 光电发射的物理过程 74
3.4 量子效率 76
3.5 表面条件的影响 78
3.6 半导体的光电发射与能带结构 81
第四章 半导体的辐射跃迁 84
1 罗斯布莱克-索克莱关系 84
2 辐射效率 87
3 本征辐射跃迁 88
3.1 直接跃迁 88
3.2 间接跃迁 89
3.3 自吸收的影响 90
3.4 重掺杂半导体的本征跃迁 90
4 激子辐射复合 91
4.1 直由激子 91
4.2 束缚激子 93
4.3 束缚于等电子中心的激子 94
5 能带与杂质能级之间的辐射跃迁 95
5.1 浅跃迁 95
5.2 深跃迁 96
5.3 向深能级的跃迁 97
6 施主与受主间的辐射跃迁 97
6.1 发射光子的能量 98
6.2 辐射跃迁几率 99
6.3 施主—受主杂质位置组合类型 100
6.4 发射光谱结构 100
6.5 发射光谱随时间的衰减及t-移动 102
6.6 激发强度对光谱的影响及j-移动 103
6.7 温度的影响 105
第五章 半导体的无辐射复合 107
1 俄歇复合 107
2 表面复合 113
2.1 表面态与表面复合中心 113
2.2 表面复合中心能级的分布和表面复合速度 114
3 通过缺陷或掺杂物的复合 117
4 多声子复合 118
第六章 电致发光 120
1 发光 120
1.1 发光定义 120
1.2 发光的分类 120
2 电致发光的特点 121
3 电致发光激发机理 123
3.1 注入式发光 123
3.2 碰撞电离激发 126
3.3 隧道效应 127
3.4 其它激发机理 128
4 p-n结注入式电致发光的主要特性 130
4.1 亮度与电流的关系 130
4.2 发光的温度关系 132
4.3 亮度与电压的关系 133
5 p-n结注入式激光 135
5.1 受激辐射 135
5.2 分布反转 136
5.3 激光的形成 137
5.4 注入式激光的主要特性 139
6 碰撞电离激发电致发光的主要特性 140
6.1 发光亮度与电压的关系 140
6.2 亮度与温度的关系 154
6.3 发光效率 157