目 录 1
第一章概论 1
§1.1硅大规模集成电路发展的特点 1
§1.2七十年代硅单片半导体集成电路工艺技术的发展 5
§1.3大规模和超大规模集成电路的基础工艺技术 7
第二章大直径半导体材料的制备加工技术 17
§2.1大直径硅圆片制备 17
§2.2硅化学汽相外延 22
§2.3束流外延 28
第三章微细图形加工技术（一） 33
——电子束和离子束曝光技术 33
§3.1扫描电子束曝光技术 34
§3.2电子束复印技术 47
§3.3电子束掩模检查技术 55
§3.4离子束曝光技术 58
第四章微细图形加工技术（二） 68
——光学投影和X射线曝光技术 68
§4.1光学投影曝光技术 68
§4.2 X射线曝光 79
§4.3多层抗蚀剂技术 88
第五章微细图形加工技术（三） 92
——干法腐蚀 92
§5.1等离子体腐蚀 92
§5.2溅射腐蚀 99
§5.3各种腐蚀方法的比较及应用状况 104
第六章掺杂技术 107
§6.1热掺杂技术 108
§6.2离子注入技术 121
§6.3中子嬗变掺杂技术 124
第七章 薄膜的化学汽相淀积（CVD） 128
和硅的热氧化技术 128
§7.1 薄膜的化学汽相淀积（CVD） 128
§7.2硅的热氧化技术 142
第八章布线工艺技术 154
§8.1布线工艺概述 154
§8.2 MOS集成电路的铝栅和多晶硅栅工艺 155
§8.3难熔金属和难熔金属硅化物栅 158
§8.4多层布线技术 167
§8.5金属膜的淀积技术 171
第九章退火技术 177
§9.1热退火 177
§9.2激光退火 178
§9.3电子束退火 189
第十章 工艺检测分析技术 194
§10.1工艺检测分析的重要性 194
§10.2二氧化硅膜的检测分析 195
§10.3掺杂层的检测分析 197
§10.4蒸发膜厚的工艺过程监测 200
§10.5化学汽相淀积（CVD）膜厚的工艺过程监测 201
§10.6等离子腐蚀的终点检测 203
§10.7光刻掩模版的检测 205