目录 1
第一章 肖特基势垒二极管 1
§1-1 金属-半导体接触 1
§1-2 伏安特性 5
§1-3 设计和结构 16
§1-4 微波混频和检波 22
§1-5 界面合金化问题 28
第二章 变容二极管 31
§2-1 p-n结 31
§2-2 结构和参数 40
§2-3 势垒电容的计算 46
§2-4 击穿电压的计算 54
§2-5 变容二极管在参量放大中的基本作用 57
§2-6 变容二极管的测量 59
§2-7 变容二极管在微波方面的其它应用 61
第三章 p-i-n二极管 66
§3-1 p-i-n二极管的主要参数 66
§3-2 p-i-n二极管的结构 79
§3-3 p-i-n二极管的应用 80
第四章 阶跃恢复二极管 82
§4-1 反向恢复过程 82
§4-2 阶跃恢复二极管的基本作用 88
§4-3 结构和电参数 90
§4-4 p-i-n阶跃管 95
第五章 雪崩渡越时间器件 99
§5-1 基本作用原理 99
§5-2 雪崩击穿特性 101
§5-3 小讯号理论 104
§5-4 大讯号分析 110
§5-5 谐波对于IMPATT模式的影响和高效率（TRAPATT）模式 116
§5-6 结构和设计考虑 122
§5-7 雪崩管的噪声 128
§5-8 势垒注入渡越时间二极管 131
第六章 体效应器件 136
§6-1 电子转移和耿氏效应 136
§6-2 高场畴 139
§6-3 耿氏振荡器 143
§6-4 LSA模式 148
§6-5 静止畴问题 151
§6-6 GaAs以外的半导体 154
§7-1 微波双极晶体管 162
第七章 微波晶体管 162
§7-2 微波场效应晶体管 177
§7-3 低噪声晶体管 185
§7-4 功率晶体管 189
§7-5 工艺问题 195
§7-6 目前发展情况 196
第八章 微波集成电路 198
§8-1 控制电路 198
§8-2 参量放大器 207
§8-3 混频器 216
§8-4 倍频器 223
§8-5 微波固体讯号源 231
§8-6 微波晶体管放大器 239