目录 1
第一章 引言 1
1.1 目的 1
1.2 为什么对辐射效应感兴趣？ 1
1.3 速查表 2
第二章 体半导体特性 5
2.1 引言 5
2.2 结晶态 5
2.3 电子在晶体中的运动 7
2.4 本征载流子密度 13
2.5 非本征载流子密度 16
2.6 迁移率、电导率和速度饱和 19
2.7 扩散与复合 24
2.8 连续方程 32
第三章 p-n结一极管和晶体管 37
3.1 引言 37
3.2 p-n结 37
3.3 偏置下的p-n结 41
3.4 结的动态参数 44
3.5 非理想的p-n结效应 49
3.6 p-n结晶体管 55
3.7 晶体管等效电路 59
4.1 引言 62
4.2 纯净半导体单晶的制备 62
第四章 器件制备与参数测量方法 62
4.3 p-n结的制备 65
4.4 体半导体特性的测量 70
4.5 成品器件中半导体特性的测量 77
第五章 半导体辐射损伤基础 85
5.1 引言 85
5.2 辐射形成的缺陷 85
5.3 缺陷的影响 100
5.4 影响永久损伤的因素 105
5.5 硅、锗和砷化镓中辐射损伤的实验测量结果 105
5.6 电离辐射效应 132
5.7 瞬时退火效应 135
6.1 引言 142
第六章 肖特基势垒二极管混频器和检波器 142
6.2 理想势垒理论 143
6.3 电流-电压特性 146
6.4 二极管的结构及其等效电路 149
6.5 辐射对直流和低频参数的影响 152
6.6 微波检波器 159
6.7 微波混频器 163
6.8 瞬时电离效应 172
第七章 p-i-n开关和限幅器的辐射损伤 176
7.1 引言 176
7.2 p-i-n二极管的器件物理 176
7.3 P-i-n微波开关 184
7.4 p-i-n开关的永久辐射效应 186
7.5 P-i-n二极管微波限幅器 196
7.6 微波限幅器的永久辐射效应 197
7.7 开关和限幅器的瞬时电离效应 201
第八章 IMPATT器件和TRAPATT器件的辐射损伤 203
8.1 引言 203
8.2 IMPATT振荡器理论 203
8.3 TRAPATT振荡器理论 208
8.4 IMPATT振荡器的永久辐射效应 214
8.5 TRAPATT振荡器的永久辐射效应 223
8.6 IMPATT振荡器的瞬时电离辐射效应 227
9.1 引言 232
第九章 Gunn（耿）器件和LSA器件的辐射损伤 232
9.2 体负微分电阻 233
9.3 Gunn模式 235
9.4 LSA模式 240
9.5 Gunn器件的永久辐射效应 243
9.6 LSA振荡器的永久辐射效应 249
9.7 Gunn振荡器的瞬时电离辐射效应 252
第十章 BARITT器件的辐射损伤 257
10.1 引言 257
10.2 BARITT器件物理 257
10.3 BARITT微波振荡器 260
10.4 BARITT器件的永久辐射效应 264
10.5 BARITT振荡器的永久辐射损伤 270
10.6 瞬时电离辐射效应 275
第十一章 阶跃恢复二极管倍频器的辐射损伤 281
11.1 引言 281
11.2 SRD器件物理 281
11.3 SRD倍频器的工作原理 286
11.4 SRD器件的永久辐射效应 290
11.5 SRD倍频器的永久辐射效应 292
11.6 SRD倍频器的电离效应 297
第十二章 微波晶体管的辐射损伤 299
12.1 引言 299
12.2 器件物理 299
12.3 辐射对直流和低频特性的影响 305
12.4 辐射对微波参数的影响 312
12.5 双极性微波功率晶体管的永久辐射效应 322
12.6 微波场效应晶体管的永久损伤 324
12.7 瞬时电离辐射效应 325
第十三章 隧道二极管的辐射损伤 329
13.1 引言 329
13.2 隧道二极管的理论 329
13.3 隧道二极管的辐射效应 333
13.4 隧道二极管电路的辐射效应 338
13.5 隧道二极管器件及其电路的瞬时电离辐射效应 340
附录A 半导体材料的物理常数 342
附录B 微波电路板与微波腔体 342
附录C 中子损伤与其能谱的关系 351
符号表 354