概述 1
目 录 1
第一部分：模拟系统 6
第一章数值模拟系统介绍 6
1.1工艺和器件数值模拟的历史 6
1.2数值模拟系统的实现 7
第二章工艺模拟 10
2.1简介 10
2.2 SUPREM：一维工艺模拟软件 11
2.3 SUPRA：二维工艺模拟软件 19
2.4 SOAP：二维氧化模拟软件 25
第三章器件模拟 29
3.1 GEMINI：二维泊松方程的求解软件 29
3.2 CADDET：二维单一载流子器件模拟软件 36
3.3 SIFCOD：形状通用的二维两种载流子器件模拟软件 42
4.2 FCAP2的输入和流程图 49
第四章FCAP2：寄生电容／电阻模拟软件 49
4.1简介 49
4.3实例 50
第二部分：应用和实例研究 52
第五章 用于发展工艺和器件的计算机辅助设计方法 52
5.1器件模拟的方法 52
5.2实例研究的概述 54
第六章新工艺开发中的模拟技术基础 55
6.1 工艺开发中的器件物理基础 55
6.2 用于器件参数模拟的CAD工具 58
6.3产生器件基本参数的方法 61
6.4器件特性与工艺参数之间的关系 63
第七章短沟道晶体管中的漏感应势垒降低效应 67
第八章亚微米CMOS工艺的晶体管设计 72
8.1 亚微米CMOS工艺简介 72
8.2 采用模拟技术研究亚微米p沟道MOSFET 74
8.3 n沟道晶体管的模拟 81
8.4小结 83
第九章沟槽隔离CMOS中的表面反型问题 84
9.1 对CMOS中沟槽隔离的简介 84
9.2模拟技术 85
9.3反型问题的分析 86
9.4模拟结果的总结 89
9.5实验结果 90
9.6小结 91
第十章在VLSI中采用的隔离结构的发展 92
10.1 隔离结构简介 92
10.2硅的局部氧化（LOCOS） 93
10.3 改进的LOCOS工艺 95
10.4 侧壁掩蔽隔离（SWAMI） 96
10.5 小结 99
11.1 亚微米MOS器件中的高电场问题 100
第十一章用二维模拟研究轻掺杂漏区器件结构 100
11.2 LDD器件的研究 101
11.3小结 108
第十二章使用CADDET模拟MOSFET按比例缩小 110
12.1 简介 110
12.2增强型MOSFET的按比例缩小 110
12.3耗尽型MOSFET的按比例缩小 114
12.4结论 117
13.1 简介 119
第十三章VLSI工艺开发中的寄生参量提取 119
13.2模拟技术 120
13.3 用SUPRA模拟扩散电容 125
13.4 寄生电阻的FCAP2模拟 125
13.5 实验与模拟的比较 126
13.6 小结 126
符号表 127
主要参考书目 131