第一章 CMOS集成电路的发展概况 1
§1-1 CMOS集成电路的发展简史 1
§1-2 CMOS集成电路的优点及缺点 3
§1-3 CMOS集成电路的工艺结构及发展前景 4
第二章 CMOS集成电路的基本原理及基本电路 9
§2-1 MOS场效应晶体管的基本知识 9
2-1-1 MOS电容器 9
2-1-2 MOS晶体管 11
2-1-3 MOS晶体管的特性方程 14
§2-2 CMOS倒相器 17
2-2-1 CMOS倒相器的静态特性 17
2-2-2 CMOS倒相器的动态特性 20
§2-3 CMOS传输门 24
§2-4 其它的CMOS基本电路 27
2-4-1 电平变换电路 27
2-4-2 CMOS门电路 29
2-4-3 具有三态输出的CMOS电路 36
第三章 p阱CMOS集路电路 39
§3-1 p阱CMOS集成电路的一般考虑 39
§3-2 采用离子注入技术的p阱CMOS集成电路 45
§3-3 硅栅p阱CMOS集成电路 48
§3-4 等平面p阱CMOS集成电路 51
§3-5 p阱CMOS集成电路的新发展 52
3-5-1 全离子注入等平面p阱CMOS工艺 53
3-5-2 自对准接触孔技术 54
3-5-3 闭合漏CMOS集成电路 54
3-5-4 由DMOS-VMOS构成的p阱CMOS集成电路 57
第四章 n阱CMOS集成电路 61
§4-1 n阱CMOS集成电路的一般考虑 61
§4-2 铝栅NMOS/CMOS兼容的集成电路 62
4-2-1 工艺的一般考虑 62
4-2-2 n阱杂质浓度分布及p沟MOS管的阈值电压 64
4-2-3 阈值电压调整 70
4-2-4 PMOS晶体管的迁移率 71
4-2-5 n阱工艺的设计准则 74
4-2-6 CMOS/CCD兼容工艺 76
§4-3 兼容的硅栅n阱CMOS集成电路 77
4-3-1 硅栅E/D NMOS工艺 77
4-3-2 硅栅NMOS/CMOS兼容的集成电路工艺考虑 80
4-3-3 2μm全离子注入硅栅NMOS/CMOS集成电路的工艺设计及制造特点 81
4-3-4 2μm NMOS/CMOS集成电路的实验结果 93
4-3-5 等平面隔离n阱硅栅CMOS工艺 102
附录：微分衬底效应系数D同耗尽深度xd的关系 106
第五章 高低压兼容的CMOS集成电路 109
§5-1 高压CMOS集成电路的一般考虑 109
§5-2 MOS晶体管耐压的一般分析 112
§5-3 以p阱工艺为基础的高低压兼容CMOS集成电路 116
5-4-1 总的工艺结构 118
§5-4 以n阱工艺为基础的高低压兼容CMOS集成电路 118
5-4-2 N沟高压MOS晶体管 120
5-4-3 p沟高压MOS晶体管 128
第六章 CMOS-双极混合集成电路 133
§6-1 CMOS-双极混合集成电路的基本考虑 133
§6-2 p阱CMOS-双极集成电路 135
§6-3 以双极工艺为基础的混合CMOS集成电路 139
§6-4 全离子注入NMOS，CMOS-双极混合集成电路 140
§6-5 区熔重结晶SOI CMOS-双极混合集成技术 144
第七章 CMOS集成电路中的锁定(Latch-up)效应 147
§7-1 CMOS集成电路中的锁定效应的分析 147
§7-2 防止锁定效应产生的方法 153
7-2-1 利用版图设计技巧减小或消除锁定效应 153
7-2-2 改进工艺及电路结构以减小或消除锁定效应 155
第八章 SOS-CMOS集成电路 161
§8-1 SOS-CMOS集成电路的一般考虑 161
§8-2 蓝宝石衬底 164
§8-3 外延硅膜的制备及其电学性质 168
8-3-1 晶面方向考虑 168
8-3-2 外延硅膜制备 169
8-3-3 SOS膜的电学性质 173
§8-4 SOS-CMOS集成电路的分类及制造 184
8-4-1 SOS-CMOS集成电路的分类 184
8-4-2 SOS-CMOS集成电路的制造 187
§8-5 SOS-CMOS集成电路中的特殊问题 195
8-5-1 背界面态的影响 195
8-5-2 SOS-MOS管的异常漏电流 195
8-5-3 不规则的漏特性“扭曲”(kink)现象 200
8-6-1 辐射效应的一般概念 203
§8-6 SOS-CMOS集成电路的辐射效应及加固 203
8-6-2 SOS-CMOS集成电路的辐射效应 204
8-6-3 SOS-CMOS集成电路的加固 205
第九章 其它新的CMOS技术 213
§9-1 双阱CMOS技术 213
§9-2 SOI(绝缘体上硅)CMOS技术 215
9-2-1 多孔硅全隔离技术 216
9-2-2 离子注入隐埋绝缘层技术 218
9-2-3 绝缘层上多晶硅重结晶技术 221
第十章 CMOS集成电路晶体管的模型方程、工艺模拟及参数测量技术 228
§10-1 CMOS集成电路晶体管的模型方程 228
10-1-1 长沟MOS晶体管的模型方程 228
10-1-2 短沟MOS晶体管模型方程 231
§10-2 工艺模拟 240
10-2-1 离子注入分布 242
10-2-2 扩散模型 245
10-2-3 氧化及杂质再分布 250
§10-3 参数测量技术 252
10-3-1 MOS参数综合测量装置 253
10-1-3 弱反型丁作的模型方程 255
10-3-2 参数自动测试装置 260
附录1 MOS晶体管的经典电流方程推导 270
附录2 沟道调制漏区空间电荷区长度△L 273
第十一章 CMOS集成电路设计入门 275
§11-1 CMOS倒相器的尺寸选择 275
§11-2 其它门电路的尺寸选择 277
11-2-1 多输入端或非门及与非门电路 277
11-2-2 传输门 280
§11-3 CMOS集成电路版图设计入门 282
11-3-1 版图设计举例 282
11-3-2 版图设计规则 284
11-3-3 版图设计中的其它问题 286
第十二章 CMOS集成电路的应用技术 291
§12-1 通用CMOS集成电路 291
12-1-1 一般介绍 291
12-1-2 CMOS集成电路的应用知识 293
12-1-3 CMOS集成电路测试的基本知识 303
12-1-4 CMOS集成电路同其它逻辑系列电路的接口方法 316
12-1-5 CMOS集成电路的应用设计 328
§12-2 CMOS存贮器电路 380
12-2-1 CMOS RAM 380
12-2-2 CMOS ROM 386
12-2-3 CMOS移位寄存器 389
§12-2 CMOS微处理器及微计算机 391
12-3-1 CMOS微处理器 391
12-3-2 CMOS微计算机 394
§12-4 CMOS门阵列 398
§12-5 CMOS模拟集成电路 402
12-5-1 CMOS运算放大器和比较器 402
12-5-2 CMOS功率开关 405
附录1 国产通用CMOS集成电路同国外型号对照表 412
附录2 TTL与CMOS国际型号对照表 415