目录 1
1．MOS存储器发展概况 1
2．1024位高速MOS大规模集成随机存取存储器 15
3．动态随机存取储器的基础及其应用 25
4．4千位MOS动态随机存取存储器 58
5．全译码随机存取1024位动态存储器 67
6．简易刷新的动态n沟道MOS随机存取存储器 82
7．具有内部刷新的三管MOS存储单元 89
8．新型的4096位MOS芯片是快速高封装密度计算机存储器的心脏 91
9．采用单管（FET）单元的8千位随机存取存储器芯片 100
10．具有内部时序电路和低功耗单管4096位随机存取存储器 108
11．高性能1024位开关电容p沟绝缘栅场效应晶体管 115
12．用n沟硅栅工艺制作的1密耳2单管存储单元 127
13．读出放大器的设计是单管单元4096位随机存取存储器的关键 133
14．采用常关型肖特基势垒场效应晶体管的静态随机存取存储器 144
15．绝缘体上外延硅薄膜MOS工艺的五管存储单元 151
16．互补MOS存储器 154
17．应用可变电容的自举作用来消除MOS电路中的阈值损失 159
18．半导体存储器的测试方法 162
19．MOS大规模集成电路的可靠性 167