绪论 1
第一章 半导体器件工艺的特点和流程 2
§1—1 概述 2
§1—2 硅外延平面晶体管工艺 2
§1—3 硅三重扩散台面晶体管工艺 3
§1—4 MOS场效应晶体管工艺 5
§1—5 双极型集成电路工艺 8
§1—6 MOS集成电路工艺 10
习题 11
§2—2 衬底制备 12
§2—1 概述 12
第二章 衬底制备和高纯水制备 12
§2—3 高纯水制备 18
习题 21
第三章 外延 22
§3—1 概述 22
§3—2 硅的气相外延原理 22
§3—3 气相外延设备与工艺条件 25
§3—4 外延层质量检验和工艺控制 28
§3—5 其它外延方法简介 34
习题 35
§4—2 二氧化硅的结构、性质与作用 36
第四章 氧化 36
§4—1 概述 36
§4—3 热氧化原理 39
§4—4 热氧化方法 40
§4—5 氧化膜的质量检验 46
习题 49
第五章 掺杂 50
§5—1 概述 50
§5—2 扩散原理 50
§5—3 扩散方法 53
§5—4 扩散参数的测量 63
§5—5 扩散工艺常见质量问题及分析 67
§5—6 离子注入 69
习题 72
第六章 化学气相淀积 73
§6—1 概述 73
§6—2 化学气相淀积方法 73
§6—3 化学气相淀积膜 76
§6—4 化学气相淀积的发展 81
习题 81
§7—2 接触与互连金属的选择 82
第七章 物理气相淀积 82
§7—1 概述 82
§7—3 物理气相淀积方法 83
§7—4 合金化 88
§7—5 物理气相淀积常见质量问题及分析 90
§7—6 多层电极的物理气相淀积 91
习题 92
第八章 图形工艺 93
§8—1 概述 93
§8—2 图形转移 93
§8—3 图形刻蚀 99
§8—4 图形工艺的发展 105
习题 106
第九章 组装工艺 108
§9—1 概述 108
§9—2 减薄与划片 108
§9—3 装片 109
§9—4 键合 110
§9—5 封装 113
习题 119
§10—1概述 120
第十章 测试 120
§10—2集成电路测试 121
§10—3分立器件测试 122
习题 123
第十一章 器件可靠性和洁净技术 124
§11—1 概述 124
§11—2 抽样检验 125
§11—3 可靠性试验 128
§11—4 器件失效分析 130
§11—5 洁净技术 134
习题 135
第十二章 掩模版制造 137
§12—1 概述 137
§12—2 掩模材料 138
§12—3 CAD微机辅助制版 138
习题 139
第十三章 CAD工艺模拟 140
§13—1 概述 140
§13—2 CAD工艺模拟步骤 140
习题 141
附录一 常用清洗腐蚀剂 142
附录二 半导体工艺常用单位与换算 144