电子显微分析篇 1
第一章 电子与物质的相互作用 1
1．1 电子的性质 1
1．2 电子的散射 3
第二章 透射电子显微镜(TEM) 8
2．1 电子透镜成像原理 10
2．2 电磁透镜的像差、分辨能力、场深与焦长 18
2．3 透射电镜的结构与光学系统 23
第三章 试样制备技术 31
3．1 粉末试样制备技术 32
3．2 复型技术 34
3．3 薄膜试样制备 39
第四章 电子衍射 44
4．1 倒易点阵 45
4．2 电子衍射几何学原理 54
4．3 倒易点阵与晶体衍射强度 57
4．4 透射电子显微镜中的电子衍射 64
4．5 多晶体和单晶体电子衍射谱 70
4．6 简单电子衍射谱指数标定 74
4．7 复杂电广衍射谱指数标定 81
5．1 质量厚度(质厚)衬度成像 102
第五章 透射电镜显微图像衬度原理 102
5．2 衍射衬度(衍衬)成像 104
5．3 相位衬度成像 107
5．4 完整晶体衍衬像运动学理论 113
5．5 不完整晶体的运动学理论 116
5．6 衍衬动力学理论简介 126
5．7 动力学理沦在层错晶体中的应用 136
第六章 扫描电子显微镜(SEM) 142
6．1 扫描电子显微镜结构与工作原理 142
6．2 电子激发的各种信息及其发射区域 144
6．3 各种成像类型及其特点 145
第七章 电子探针X射线显微分析(EPMA) 158
7．1 波谱仪WDS 159
7．2 能谱仪EDS 162
7．3 WDS与EDS的比较 164
7．4 X射线显微分析的模式 164
7．5 元素的定量分析 170
第八章 分析电子显微镜简介 174
8．1 电子能量损失谱(EELS) 175
8．2 会聚束电子衍射(CBED) 178
第九章 电子材料显微分析应用 182
参考文献 199
附录 201
表面分析篇 209
第十章 绪论 209
10．1 表面科学与表面分析技术 209
10．2 表面分析技术的特点 215
10．3 表面分析方法简介 217
第十一章 表面分析谱仪 222
11．1 概述 222
11．2 真空系统 223
11．3 清洁表面的制备 225
11．4 入射源 227
11．5 电子能量分析器 238
11．6 检测器 247
第十二章 俄歇电子能谱分析 249
12．1 概述 249
12．2 俄歇效应 249
12．3 俄歇峰的能量 254
12．4 元素的特征俄歇系列峰 258
12．5 俄歇峰的精细结构 259
12．6 俄歇信号强度 267
12．7 AES的定量分析 272
12．8 AES技术的应用 281
12．9 小结 290
第十三章 X射线光电子能谱分析 291
13．1 概述 291
13．2 基本原理 292
13．3 谱图的主要结构 294
13．4 化学位移 301
13．5 谱图的次结构——伴线特征 309
13．6 XPS定量分析 315
13．7 XPS在电子材料中的应用 324
第十四章 二次离子质谱分析 334
14．1 概述 334
14．2 离子和固体的相互作用 335
14．3 溅射机理与基本规律 340
14．4 二次离子发射和能量分布 347
14．5 二次离子谱仪 355
14．6 静态SIMS分析技术 358
14．7 动态SIMS分析技术 367
第十五章 深度剖析 382
15．1 基本概念 382
15．2 XPS和AES深度剖析在电子材料中的应用 387
15．3 非破坏性深度分析 400
参考文献 404
附录 406