第1章 引论 1
1.1 科学内容 2
1.2 实验技术 14
1.3 展望 26
参考文献 26
第2章 半导体晶体的高分辨X射线衍射 28
2.1 引言 28
2.2 半导体晶体结构与结构缺陷 30
2.3 X射线平面波的衍射 66
2.4 高分辨X射线衍射的限束 89
2.5 异质外延多层膜的X射线双晶衍射 100
2.6 三轴衍射 126
2.7 晶格参数的精确测量 142
2.8 镶嵌结构的测量 152
2.9 镜面反射与面内掠入射 166
参考文献 179
附录 183
第3章 光学性质检测分析 195
3.1 引言 195
3.2 半导体光致发光 201
3.3 半导体的阴极荧光 245
3.4 吸收光谱及与其相关的薄膜光谱测量方法 254
3.5 拉曼散射 290
参考文献 317
第4章 表面和薄膜成分分析 323
4.1 引言 323
4.2 俄歇电子能谱 325
4.3 X射线光电子谱 361
4.4 二次离子质谱 392
4.5 卢瑟福背散射 409
参考文献 425
附录 428
第5章 扫描探针显微学在半导体中的运用 436
5.1 引言 436
5.2 扫描隧道显微镜的基本原理 444
5.3 用STM分析表面结构 449
5.4 扫描隧道谱 460
5.5 弹道电子发射显微镜 467
5.6 原子力显微镜 473
5.7 原子力显微镜用于表面分析 482
5.8 扫描电容显微镜 490
5.9 静电力显微镜 498
5.10 磁力显微镜 504
5.11 扫描近场光学显微镜 509
5.12 原子操纵与纳米加工 517
参考文献 523
第6章 透射电子显微学及其在半导体研究中的应用 525
6.1 引言 525
6.2 透射电子显微镜的基本构造及工作原理 525
6.3 显微像衬度 531
6.4 其他技术 541
6.5 应用实例 551
6.6 结语 572
参考文献 572
附录 575
第7章 半导体深中心的表征 581
7.1 深能级瞬态谱技术 581
参考文献 612
7.2 热激电流 614
参考文献 634