《半导体器件原理与技术》PDF下载

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  • 作  者:文常保,商世广,李演明主编
  • 出 版 社:人民交通出版社股份有限公司
  • 出版年份:2016
  • ISBN:9787114130991
  • 页数:273 页
图书介绍:作者从电子器件学习、应用及研究的角度出发,将半导体器件的原理、设计、工艺、测试及应用贯穿在一起,并与课堂教学、实验、实践环节有机结合,满足电子科学技术及其它电子相关专业本科、研究生教学、实验、实践的需要。

第1篇 半导体物理及器件 3

第1章 半导体物理基础 3

1.1 半导体材料 3

1.2 半导体的结构 5

1.3 半导体的缺陷 7

1.4 半导体的能带 9

1.5 费米能级 12

1.6 半导体的载流子浓度 13

1.7 半导体的载流子运动 16

习题 19

参考文献 20

第2章 二极管 21

2.1 二极管的基本结构 21

2.2 pn结的形成及杂质分布 22

2.3 平衡pn结 23

2.4 二极管的偏压特性 29

2.5 二极管直流特性的影响因素 31

2.6 二极管的击穿特性 33

2.7 二极管的开关特性 34

习题 36

参考文献 36

第3章 双极型晶体管 37

3.1 双极型晶体管概述 37

3.2 双极型晶体管的基本结构 38

3.3 双极型晶体管的放大作用 40

3.4 双极型晶体管的特性曲线 45

3.5 反向电流及击穿电压特性 48

3.6 基极电阻 52

3.7 双极型晶体管的开关特性 54

习题 55

参考文献 56

第4章 MOS场效应晶体管 58

4.1 MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理和分类 58

4.2 MOS场效应晶体管的阈值电压 61

4.3 MOS场效应晶体管的直流特性 64

4.4 MOS场效应晶体管的小信号参数和频率特性 70

4.5 MOS场效应晶体管的二级效应 75

4.6 MOS场效应晶体管的开关特性 81

习题 83

参考文献 84

第5章 无源器件 85

5.1 概述 85

5.2 嵌入式无源器件 86

5.3 集成无源器件 86

5.4 集成电阻 88

5.5 集成式电容 95

5.6 集成式电感 99

习题 102

参考文献 102

第6章 器件SPICE模型 103

6.1 SPICE器件模型概述 103

6.2 二极管SPICE模型 105

6.3 双极型晶体管的SPICE模型 108

6.4 MOS场效应晶体管SPICE模型 115

6.5 无源器件SPICE模型 121

习题 123

参考文献 124

第2篇 半导体制造工艺 127

第7章 半导体工艺技术 127

7.1 衬底清洗 128

7.2 氧化技术 129

7.3 图形加工技术 138

7.4 掺杂技术 146

习题 154

参考文献 154

第8章 半导体工艺仿真 155

8.1 ATHENA概述 155

8.2 n沟道MOS场效应晶体管仿真 157

8.3 光刻工艺仿真 175

习题 182

参考文献 183

第9章 薄膜制备技术 184

9.1 物理制备技术 184

9.2 化学制备技术 200

习题 211

参考文献 211

第3篇 半导体器件封装及测试 215

第10章 半导体封装技术 215

10.1 封装技术概述 215

10.2 封装功能和作用 216

10.3 封装工艺 218

10.4 封装材料 222

10.5 封装类型 225

10.6 其他封装技术 230

习题 233

参考文献 234

第11章 半导体参数测试技术 235

11.1 半导体电阻率测试 235

11.2 半导体的导电类型测试及影响因素 240

11.3 氧化膜厚度测试 243

11.4 结深测试 245

11.5 外延层杂质浓度测试 246

11.6 非平衡少数载流子寿命的测试 248

11.7 双极型晶体管参数测试 249

11.8 MOS场效应晶体管参数测试 257

习题 261

参考文献 262

附录 265

附录A 主要半导体材料及其特性 265

附录B 双极型晶体管的模型参数 266

附录C MOS器件的SPICE Level 1、2、3的模型参数 268

附录D 物理常数 270

附录E 国际单位制 271

附录F 主要参数符号表 272