第1篇 半导体物理及器件 3
第1章 半导体物理基础 3
1.1 半导体材料 3
1.2 半导体的结构 5
1.3 半导体的缺陷 7
1.4 半导体的能带 9
1.5 费米能级 12
1.6 半导体的载流子浓度 13
1.7 半导体的载流子运动 16
习题 19
参考文献 20
第2章 二极管 21
2.1 二极管的基本结构 21
2.2 pn结的形成及杂质分布 22
2.3 平衡pn结 23
2.4 二极管的偏压特性 29
2.5 二极管直流特性的影响因素 31
2.6 二极管的击穿特性 33
2.7 二极管的开关特性 34
习题 36
参考文献 36
第3章 双极型晶体管 37
3.1 双极型晶体管概述 37
3.2 双极型晶体管的基本结构 38
3.3 双极型晶体管的放大作用 40
3.4 双极型晶体管的特性曲线 45
3.5 反向电流及击穿电压特性 48
3.6 基极电阻 52
3.7 双极型晶体管的开关特性 54
习题 55
参考文献 56
第4章 MOS场效应晶体管 58
4.1 MOS场效应晶体管的基本结构、工作原理和分类 58
4.2 MOS场效应晶体管的阈值电压 61
4.3 MOS场效应晶体管的直流特性 64
4.4 MOS场效应晶体管的小信号参数和频率特性 70
4.5 MOS场效应晶体管的二级效应 75
4.6 MOS场效应晶体管的开关特性 81
习题 83
参考文献 84
第5章 无源器件 85
5.1 概述 85
5.2 嵌入式无源器件 86
5.3 集成无源器件 86
5.4 集成电阻 88
5.5 集成式电容 95
5.6 集成式电感 99
习题 102
参考文献 102
第6章 器件SPICE模型 103
6.1 SPICE器件模型概述 103
6.2 二极管SPICE模型 105
6.3 双极型晶体管的SPICE模型 108
6.4 MOS场效应晶体管SPICE模型 115
6.5 无源器件SPICE模型 121
习题 123
参考文献 124
第2篇 半导体制造工艺 127
第7章 半导体工艺技术 127
7.1 衬底清洗 128
7.2 氧化技术 129
7.3 图形加工技术 138
7.4 掺杂技术 146
习题 154
参考文献 154
第8章 半导体工艺仿真 155
8.1 ATHENA概述 155
8.2 n沟道MOS场效应晶体管仿真 157
8.3 光刻工艺仿真 175
习题 182
参考文献 183
第9章 薄膜制备技术 184
9.1 物理制备技术 184
9.2 化学制备技术 200
习题 211
参考文献 211
第3篇 半导体器件封装及测试 215
第10章 半导体封装技术 215
10.1 封装技术概述 215
10.2 封装功能和作用 216
10.3 封装工艺 218
10.4 封装材料 222
10.5 封装类型 225
10.6 其他封装技术 230
习题 233
参考文献 234
第11章 半导体参数测试技术 235
11.1 半导体电阻率测试 235
11.2 半导体的导电类型测试及影响因素 240
11.3 氧化膜厚度测试 243
11.4 结深测试 245
11.5 外延层杂质浓度测试 246
11.6 非平衡少数载流子寿命的测试 248
11.7 双极型晶体管参数测试 249
11.8 MOS场效应晶体管参数测试 257
习题 261
参考文献 262
附录 265
附录A 主要半导体材料及其特性 265
附录B 双极型晶体管的模型参数 266
附录C MOS器件的SPICE Level 1、2、3的模型参数 268
附录D 物理常数 270
附录E 国际单位制 271
附录F 主要参数符号表 272