第1章 概况 1
1.1 研究背景 1
1.1.1 技术发展概况 1
1.1.2 产业现状 3
1.1.3 行业需求 5
1.2 研究对象和方法 5
1.2.1 研究对象 5
1.2.2 研究方法 10
1.2.3 相关事项和约定 11
第2章 CMOS图像传感器 15
2.1 CMOS图像传感器专利总体态势 15
2.1.1 申请趋势 15
2.1.2 原创／目标国或地区分布 18
2.1.3 申请人分析 19
2.2 重要申请人——索尼 20
2.2.1 申请趋势 20
2.2.2 产品相关核心专利布局 22
2.2.3 堆叠式背照技术 30
2.2.4 索尼专利申请撰写策略 45
2.3 背照式CMOS图像传感器 48
2.3.1 申请态势 48
2.3.2 技术分布 49
2.3.3 中国专利有效性 51
2.3.4 申请人分析 53
2.3.5 技术功效分析 56
2.4 核心专利技术 57
2.4.1 解决减小暗电流问题 57
2.4.2 解决抗串扰问题 66
2.4.3 技术发展趋势预测 80
2.5 本章小结 85
第3章 柔性压力传感器 87
3.1 柔性压力传感器专利总体态势 87
3.2 应用领域分析 89
3.3 电子皮肤技术 91
3.3.1 申请态势 92
3.3.2 专利区域分布 95
3.3.3 申请人分析 97
3.3.4 技术生命周期 97
3.3.5 电子皮肤技术发展路线 99
3.4 电子皮肤应用技术 101
3.4.1 典型应用技术解析 101
3.4.2 技术功效分析 112
3.4.3 主要产品及专利布局分析 136
3.5 本章小结 150
第4章 光子型红外传感器 152
4.1 光子型红外传感器专利总体态势 153
4.1.1 申请趋势 153
4.1.2 专利区域分布 154
4.1.3 申请人分析 158
4.2 多波段光子型红外传感器 161
4.2.1 申请态势 161
4.2.2 技术发展路线 165
4.2.3 技术功效分析 173
4.2.4 重要专利分析 176
4.3 重要申请人——SOFRADIR 179
4.3.1 碲镉汞红外传感器技术路线 179
4.3.2 SOFRADIR军民融合策略 183
4.3.3 中国军民融合策略 184
4.4 本章小结 186
第5章 陀螺仪 187
5.1 陀螺仪技术专利总体态势 187
5.2 MEMS陀螺仪 190
5.2.1 专利申请趋势 190
5.2.2 专利区域分布 191
5.2.3 申请人分析 192
5.3 正交误差补偿技术 194
5.3.1 技术发展现状 194
5.3.2 申请趋势 195
5.3.3 专利区域分布 195
5.3.4 申请人分析 196
5.3.5 专利布局分析 198
5.4 初创公司成功之道——InvenSense 200
5.4.1 InvenSense专利概况 200
5.4.2 重要专利技术 206
5.4.3 研发团队 226
5.4.4 申请策略 228
5.4.5 专利布局 230
5.4.6 技术路线 231
5.4.7 企业并购 232
5.5 本章小结 234
第6章 MEMS制造工艺 236
6.1 MEMS制造工艺专利总体态势 236
6.1.1 申请趋势 237
6.1.2 技术构成 237
6.1.3 专利区域分布 240
6.1.4 申请人分析 240
6.2 硅通孔工艺 243
6.2.1 申请态势 243
6.2.2 专利区域分布 246
6.2.3 申请人分析 249
6.2.4 技术发展路线 249
6.2.5 技术功效分析 251
6.2.6 重要专利分析 252
6.3 重要申请人——台积电 256
6.3.1 公司概况 256
6.3.2 专利申请态势 257
6.3.3 多角度解决封装应力问题 261
6.3.4 扇出晶圆级封装核心技术 268
6.3.5 商业秘密与专利保护 275
6.4 MEMS工艺标准化的突破口 280
6.4.1 CMOS-MEMS融合工艺概况 280
6.4.2 重要专利分析 283
6.4.3 重点产品分析 287
6.5 本章小结 292
第7章 主要结论 294
7.1 技术创新 294
7.2 知识产权保护 296
7.3 企业运营战略 297
图索引 299
表索引 307