一、概述 1
1—1 半导体器件制造工艺的发展简史 1
1—2 半导体器件制造工艺原理 3
二、硅外延工艺 7
2—1 基本原理 8
2—2 设备 10
2—3 工艺条件 13
2—4 硅外延层的参数及其检验 18
2—5 生长硅外延层的其它方法 24
2—6 气相生长法一些应用 26
三、砷化镓外延工艺 26
3—1 砷化镓汽相外延 27
3—2 砷化镓液相外延 36
3—3 砷化镓外延工艺中的几个问题 40
四、氧化工艺 44
4—1 湿氧氧化法 45
4—2 低温热解有机氧硅烷淀积二氧化硅法 47
4—3 二氧化硅膜厚度的测量 48
五、扩散工艺 50
5—1 扩散的一些主要方法 50
5—2 扩散中控制的主要参数 53
5—3 扩散结果的测量 55
5—4 扩散法与其他方法的比较 60
六、隔离工艺 60
6—1 P—N结隔离技术 61
6—2 介质隔离技术 69
6—3 空气隔离技术 73
七、制版工艺 79
7—1 图形设计和电路图形的布局 79
7—2 原图的制做 82
7—3 一次缩小和步进重复照相 83
7—4 光刻掩模的复制 99
7—5 感光材料 101
7—6 新技术 110
7—7 显影液、定影液和化学药品简介 116
八、光刻工艺 121
8—1 光敏抗蚀剂 125
8—2 光刻的一般工艺过程 126
8—3 投影曝光和电子束曝光简介 129
九、蒸发工艺 131
9—1 蒸发工艺的一般概念 131
9—2 蒸发方法 133
9—3 蒸发设备及工艺（电阻加热） 136
十、溅射工艺 141
10—1 溅射的一般概念 141
10—2 溅射方法 142
10—3 等离子溅射的设备及工艺 147
十一、装架工艺 151
11—1 特性测试 151
11—2 管芯片割裂 154
11—3 欧姆接触烧制 155
11—4 引线键合 157
十二、封装工艺 161
12—1 金属封装工艺 161
12—2 塑料封装工艺 163
十三、器件测试 170
13—1 晶体管基本电参数的测试 170
13—2 晶体管特殊参数的测试 179
14—1 产品质量的重要性 190
十四、质量检验 190
14—2 质量检验的基础知识 191
14—3 试验方法 203
十五、附录 222
附录一 锗、硅和砷化镓的主要物理性能 222
附录二 一些常用的金属和合金的主要物理性能 223
附录三 在锗、硅和砷化镓中杂质的分凝系数 224
附录四 热电偶种类及使用的温度范围 225
附录五 常用物理常数 225