第一章 前言 1
1.1 半导体器件和电路的发展使单位体积热耗散大幅增加 1
1.2 电子器件与电路的发展使工作速度不断提高 3
1.3 电子器件与电路的发展对封装基板材料提出新的要求 3
1.4 封装基板材料的研究现状 4
1.5 金刚石膜／氧化铝陶瓷复合作封装基板 7
第二章 氧化铝衬底的碳离子预注入 14
2.1 离子注入的实验过程 14
2.2 碳离子注入层的测试与表征 16
2.3 退火处理对碳离子注入的影响 28
2.4 小结 34
第三章 实验过程及成核分析 35
3.1 微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法 35
3.2 热丝化学气相沉积（HFCVD）方法 38
3.3 氧化铝上金刚石膜的成核分析 43
3.4 小结 57
第四章 金刚石的厚膜生长及应力分析 58
4.1 金刚石膜的质量表征 58
4.2 金刚石膜的应力研究 61
4.3 沉积条件对金刚石薄膜应力的影响 70
4.4 金刚石厚膜的工艺控制及表征 78
4.5 薄膜与衬底界面应力的有限元分析 79
4.6 小结 85
第五章 金刚石薄膜／氧化铝复合材料性质研究 87
5.1 金刚石薄膜介电系数的确定 87
5.2 金刚石膜／氧化铝复合材料的介电系数测量 102
5.3 复合材料介电系数的理论计算 106
5.4 复合材料的介电损耗模型 108
5.5 对复合材料介电性质的讨论 109
5.6 复合材料的导热性质 110
5.7 小结 113
第六章 结论 115
参考文献 118
致谢 126