1 电子能谱：一些基本概念1.1 表面分析 1
1.2 能谱标识方法 2
1.2.1 谱学家标识方法 2
1.2.2 X射线标识方法 3
1.3 X射线光电子能谱（XPS） 4
1.4 俄歇电子能谱（AES） 5
1.5 扫描俄歇电子显微镜（SAM） 6
1.6 电子能谱中的分析深度 7
1.7 比较XPS和AES/SAM 8
1.8 表面分析设备 9
2 电子能谱仪构造 11
2.1 真空系统 11
2.2 样品 12
2.3 X射线源 14
2.3.1 双阳极X射线源 14
2.3.2 X射线单色器 15
2.3.3 荷电补偿 18
2.4 AES的电子枪 18
2.4.1 电子源 19
2.4.2 俄歇电子能谱中电子发射体的比较 21
2.5 电子能谱分析器 22
2.5.1 筒镜形分析器 22
2.5.2 半球形分析器 24
2.6 探测器 28
2.6.1 通道电子倍增器 28
2.6.2 通道板 29
2.7 小面积XPS 29
2.7.1 透镜限定小面积XPS 30
2.7.2 源限定小面积XPS 30
2.8 XPS成像和面分布成像 30
2.8.1 串行采集 31
2.8.2 平行采集 31
2.9 小面积XPS的横向分辨率 33
2.10 角分辨XPS 34
3 电子能谱：定性和定量诠释 34
3.1 定性分析 37
3.1.1 电子能谱中的干扰特征峰 38
3.1.2 数据采集 39
3.2 化学态信息 40
3.2.1 X射线光电子能谱 40
3.2.2 电子诱导激发俄歇电子能谱 41
3.2.3 俄歇参数 42
3.2.4 化学态图 43
3.2.5 震激伴峰 44
3.2.6 多重劈裂 45
3.2.7 等离激元 46
3.3 定量分析 47
3.3.1 影响电子能谱定量分析的因素 47
3 3.2 XPS定量分析 48
3.3.3 AES定量分析 48
4 组分深度剖析 50
4.1 非破坏性深度剖析方法 50
4.1.1 角分辨电子能谱 50
4.1.2 分析深度随电子动能的变化 57
4.2 惰性气体离子刻蚀深度剖析 58
4.2.1 溅射过程 58
4.2.2 实验方法 59
4.2.3 溅射产额和刻蚀速率 60
4.2.4 影响刻蚀速率的因素 61
4.2.5 影响深度分辨的因素 62
4.2.6 校准 64
4.2.7 离子枪结构 65
4.3 机械切削 67
4.3.1 斜面磨角 67
4.3.2 球形磨坑 67
4.4 结束语 69
5 电子能谱在材料科学中的应用5.1 引言 71
5.2 冶金学 71
5.2.1 晶界偏析 71
5.2.2 金属合金电子结构 75
5.2.3 表面工程 77
5.3 腐蚀科学 81
5.4 陶瓷和催化剂 87
5.5 微电子和半导体材料 89
5.5.1 半导体器件表面AES组分面分布成像 90
5.5.2 半导体材料的深度剖析 91
5.5.3 超薄层薄膜的ARXPS研究 92
5.6 聚合物材料 93
5.7 黏合科学 98
6 XPS,AES与其他分析技术的比较6.1 电子显微镜中的X射线分析 107
6.2 电子显微镜中的电子分析 108
6.3 表面分析质谱 110
6.4 离子散射谱 113
6.5 结束语 115
名词术语 118
缩写词表 118
表面分析方法简介 118
表面分析术语 119
因特网上的表面分析资料 126
表面分析中的文字标准 126
附录 131
附录1 俄歇电子能量 131
附录2 用AIKαX射线获得的结合能表 132
索引 134