前言 1
肖克莱模型 1
肖克莱模型的四个假设 1
根据肖克莱模型进行FET工作原理的解析 4
跨导与漏极电导 15
Lehovec-Zuleeg模型 16
肖克莱模型的局限性与迁移率的电场依存性 16
根据Lehovec-Zuleeg模型进行FET工作原理的解析 18
漏极电流的饱和及沟道的导通程度 19
跨导与漏极电导 20
Statz模型（二区域模型） 22
肖克莱模型与Lehovec-Zuleeg模型的局限性及漏极电流饱和后的处理方法 22
根据Statz模型进行FET工作原理的解析 23
跨导与漏电导 27
根据计算机进行FET工作原理的二维数值解析 30
根据解析手法进行FET工作原理解析的局限性 30
考虑了迁移率电场依存性的二维数值解析（Kennedy-O′Btien模型） 31
考虑了GaAs负微分迁移率的二维数值解析（山口模型） 38
短栅长FET 41
速度过冲（velocity overshoot） 42
纵横比的低下 43
短栅长FET的工作原理 44
前言 48
FET的功率增益 48
FET的剖面构造与等效电路 49
由等效电路参数所表示的FET功率增益 51
FET本征区域的高频化 55
提高截止频率 55
栅极-漏极间电容的影响 58
通过低减寄生参数来实现FET的高频化 59
减小源电阻 59
减小栅电阻 59
减小源电感 60
减小栅极-漏极间电容 61
根据单指栅宽的最优化来实现FET的高频化 61
根据分布参数电路模型来解析FET的工作原理 62
最优化单指栅宽 63
前言 65
S参数 65
为什么要应用S参数 65
传输线路与行波 67
S参数的定义 69
S参数的测试 71
测试基准面的变换 73
用史密斯（阻抗）圆图表示S参数 74
史密斯圆图 74
史密斯圆图的量纲与S参数 78
GaAs FET的S参数实测例 79
S参数的信号流向图（Signal Flow Graph）表示 84
信号流向图的规则 85
将两端口网络与信号源及负载相接续时的信号流向图 86
转换功率增益 87
转换功率增益的定义 87
根据信号流向图推导转换功率增益表达式 89
资用功率增益 89
资用功率增益的定义 89
资用功率增益表达式 90
最大资用功率增益 91
FET的稳定性与稳定因子 92
最大资用功率增益 99
最大单向功率增益 100
Mason定理 100
最大单向功率增益 102
最高振荡频率 104
最高振荡频率的定义 104
最高振荡频率的实测 104
截止频率 106
第三章的附录 106
附录Ⅰ式（3.17）的推导 106
附录Ⅱ式（3.51）的推导 108
附录Ⅲ式（3.60）的推导 110
附录Ⅳ式（3.94）的推导 112
附录Ⅴ式（3.104）的推导 118
前言 125
噪声的基本概念 125
热噪声 126
散粒噪声 127
产生复合噪声 129
1／f噪声 129
量子噪声 130
FET的噪声源 131
根据二区域模型进行FET噪声的解析 133
噪声系数 135
噪声系数的定义 136
使用最简单的FET等效电路进行噪声系数解析 137
漏极噪声与感应栅极噪声的相关性 140
使用考虑了寄生参数的FET等效电路进行噪声系数解析 144
在假设无噪声（noiseless）FET前提下进行噪声系数解析 145
最小噪声系数 147
最小噪声系数的等效电路参数表示 148
GaAsFET噪声系数的测试 152
低噪声GaAs FET的试制 153
低噪声GaAs FET的设计 153
低噪声GaAs FET的试制与噪声系数的测试 155
低噪声HEMT 157
HEMT的结构 158
HEMT的工作原理 159
HEMT的噪声 165
低噪声HEMT的特性与应用 170
低噪声HEMT的未来 174
第四章的附录 175
附录Ⅰ由速度非饱和区域所产生的漏极噪声（漏极噪声Ⅰ）iD1，VD1的推导 175
附录Ⅱ由速度饱和区域所产生的漏极噪声（漏极噪声Ⅱ）iD2，VD2的推导 178
附录Ⅲ由速度非饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声（感应栅极噪声Ⅰ）iG1，VG1的推导 181
附录Ⅳ由速度饱和区域的漏极噪声所产生的感应栅极噪声（感应栅极噪声Ⅱ）iG2，VG2的推导 182
附录Ⅴ相关因子C的详细表达式 184
附录Ⅵ考虑了寄生参数的FET的噪声系数式的推导 185
附录Ⅶ式（4.62）的推导 189
前言 192
大功率FET的工作原理 192
大功率FET的基本原理及最大输出、饱和输出功率 192
漏极效率与功率附加效率 196
大功率FET的线性增益及大信号工作时的漏极阻抗 197
B类工作及高效率工作 199
高频大功率FET版图结构的设计 201
设计输出功率及全栅宽 201
单指栅宽的实验研讨 203
设计工作频率及芯片尺寸 205
并列工作与焊接区数量 207
高频大功率FET的版图结构 207
FET的击穿电压 209
FET的漏极击穿电压 209
FET的栅极击穿电压（侧向栅极击穿电压） 211
FET的缓冲层的击穿电压 215
FET的热阻 217
沟道温度上升及器件性能 217
FET的散热模型（梳形结构FET） 219
栅极·栅极间隔与热阻 222
衬底厚度与热阻 222
热阻的测试法 223
源电感的降低（特别是通路孔结构） 223
通常的通路孔结构 223
考虑了芯片尺寸的通路孔结构 224
源极电感的低减效果 226
大功率GaAs FET高频输出功率的测试 228
大功率GaAs FET的试制 230
大功率GaAs FET的设计 230
大功率GaAs FET的试制与实测 232
大功率GaAs FET的性能及其应用 234