微电子加工环境 6
环境污染对成品率的影响 6
超净空间环境 7
超纯水 8
超纯气体及化学试剂 8
衬底材料 9
IC发展与硅材料的关系 9
大直径单晶的制备 11
单晶材料中的原生缺陷与有害杂质 16
对单晶材料的基本要求及其完美化工艺 18
衬底制备 20
单晶棒的整形与定向 21
晶片加工 23
练习与思考 27
参考文献 27
固态扩散 28
固态扩散的基本模式 28
粒子流密度 29
扩散系数 30
硅中常用杂质的扩散系数 33
输运方程和低浓度下的杂质浓度分布 34
恒定高表面浓度扩散 39
载流子浓度与杂质浓度的关系 41
硅中高浓度磷扩散 43
氧化性气氛对扩散的影响 45
扩散的相互作用及横向扩散 46
工艺指南与系统 48
扩散方法与工艺 51
金扩散 55
砷化镓中杂质的扩散行为 56
砷化镓中的扩散技术 58
离子注入掺杂 61
注入离子的能量损失机构 61
注入深度 64
注入离子在非晶靶中的浓度分布 68
单晶靶和双层靶中的离子浓度分布 72
离子注入设备 76
注入工艺 78
注入损伤 80
退火特性 82
合金法 85
合金pn结的制作原理 85
合金条件的考虑 86
练习与思考 87
参考文献 88
同质硅化学气相外延 89
外延的物理化学原理 89
生长动力学原理 91
反应器中的工作状态 95
外延掺杂 99
堆垛层错 100
原位气相腐蚀抛光 102
埋层图形漂移、畸变与塌边 103
杂质的固态对流扩散 104
自掺杂及外延层中杂质浓度分布 107
低压外延 109
气相硅外延系统与工艺 112
其它外延技术 115
选择外延与SOS外延 115
砷化镓外延 116
分子束外延 121
热生长二氧化硅膜 122
二氧化硅膜的结构和性质 123
热生长氧化膜的制备 125
热氧化生长动力学原理 126
二氧化硅的扩散掩蔽作用和硅的局部氧化 131
氧化层错 133
薄膜的化学气相淀积（CVD） 135
供微电子器件和工艺用CVD膜 135
常压化学气相淀积法 138
低压化学气相淀积法 142
等离子增强化学气相淀积法 144
光化学气相淀积法的基本原理 145
介质膜的其它制备方法 147
阳极氧化法 147
等离子体阳极氧化法 149
聚酰亚胺钝化膜 149
金属类薄膜的物理气相淀积 150
物理气相淀积的基本要素 151
物理气相淀积的实施 152
练习与思考 155
参考文献 156
抗蚀剂和掩模材料 157
光致抗蚀剂 157
电子束抗蚀剂 159
X射线抗蚀剂 160
掩模材料 161
计算机辅助掩模图形发生 164
原图数据的产生 164
图形的发生 166
掩模版图形的形成 169
光学制版 169
电子束制版 172
晶片上抗蚀膜图形的形成 174
光学曝光 175
电子束曝光 176
X射线曝光 178
其它曝光方法 180
小结 183
晶片表面图形的形成 184
图形转换 184
湿法腐蚀 185
干法腐蚀 186
砷化镓的腐蚀 189
微细图形缺陷分析与控制 190
图形缺陷与成品率的关系 190
缺陷的种类与危害 191
缺陷的产生与控制 191
缺陷的检查与修补 193
练习与思考 194
参考文献 195
工艺模拟的基础 196
一般介绍 196
杂质流输运方程 197
模型方程的数值计算方法 198
工艺模型 198
离子注入模型 199
氧化模型 200
扩散模型 201
外延模型 203
腐蚀与淀积模型 203
光刻模型 205
多晶硅淀积模型 207
氮化硅氧化模型 208
电学参数 208
SUPREM工艺模拟软件简介 208
SUPREMⅡ简介 208
SUPREMⅢ简介 210
微电子测试图形 210
测试图形的作用与布局 210
几种常见的测试图形 211
微电子工艺评价 217
工艺评价 217
在线监测 221
练习与思考 225
参考文献 225
欧姆接触 226
欧姆接触的基本原理 226
形成欧姆接触的基本方法 227
布线技术 227
金属化方法 227
布线工艺 231
键合 233
芯片分割 233
键合引线材料 234
键合 235
封装 236
金属封装 236
塑料封装 237
陶瓷封装 238
表面安装技术 240
基板材料 240
安装元件 240
表面安装方法 241
练习与思考 242
参考文献 242
MOS型集成工艺 243
CMOS工艺设计 243
n-MOS工艺设计 247
双极型集成工艺设计 249
场介质隔离TTL工艺 249
STTL工艺设计 251
砷化镓集成电路工艺 252
工艺流程设计 252
主要工艺参数选取 252
练习与思考 253
参考文献 253