第1章 辐射干扰概论 1
1.1 辐射EMI问题 1
1.2 辐射EMI的基本知识 2
1.3 EMI术语和单位 3
1.4 美国和世界其他国家应对辐射EMI的措施和标准 4
1.4.1 世界民用标准 5
1.4.2 FCC发射标准 7
1.4.3 相互认可协议（MRA:Mutual Recognition Agreement） 8
1.4.4 其他美国政府标准（非军方） 8
1.4.5 军方发射标准 8
1.5 系统内和系统间EMI 10
第2章 简单电路的电场和磁场 11
2.1 环路的辐射场 11
2.2 直导线的辐射场 15
2.3 推广至实际真实电路 17
2.4 简单电路的差模辐射 22
2.5 外部线缆的共模辐射 24
2.5.1 怎样估计线缆上的CM电流 26
2.5.2 辐射几何结构的正确近似 29
2.5.3 长线辐射 37
第3章 非正弦波源的辐射场 39
3.1 周期脉冲的频谱和辐射 39
3.2 宽带源的频谱和辐射 45
3.3 随机与周期频谱 48
3.4 某些频谱的特殊性 49
3.4.1 窄带随机信号 50
3.4.2 重复符号增强电磁干扰（EMI）辐射 52
3.4.3 展布频谱时钟（SSC）减小EMI 52
3.4.4 占空比不为0.5时的偶次与奇次谐波 53
第4章 设计低辐射产品的基本策略 57
4.1 影响EMI控制的基本系统决策 57
4.2 辐射发射减缩的设计控制区域 59
4.3 辐射EMI控制的设计关键点 60
4.4 常驻软件对辐射EMI的影响 64
第5章 芯片和集成电路级辐射发射控制 65
5.1 逻辑系列 65
5.2 理想旁路电容的计算 70
5.3 IC地弹反射共模的产生 73
5.4 减小IC自身产生的EMI 74
5.4.1 微处理器的EMI控制 74
5.4.2 时钟振荡器的EMI影响 75
5.4.3 IC发射测量的标准方法 75
5.5 IC封装的影响 77
5.6 IC级屏蔽 78
5.7 芯片和IC级辐射控制小结 79
第6章 印制电路板设计 82
6.1 电路板分区 82
6.2 导体的自感 83
6.3 单层板 86
6.3.1 电源分布去耦 86
6.3.2 平行旁路电容的问题 91
6.3.3 卡式电源输入去耦 92
6.3.4 VCC和地的布线（单层板） 93
6.3.5 地平面和地面积需求（单层板） 93
6.3.6 走线到外壳的寄生去耦 97
6.3.7 时钟线 97
6.4 多层板 98
6.4.1 多层堆叠 98
6.4.2 多层板需要的去耦电容 100
6.4.3 穿孔平面：瑞士乳酪综合征 100
6.4.4 适当的槽缝 103
6.4.5 高速走线的布置 103
6.4.6 模拟数字混合 104
6.4.7 薄箔PCB 105
6.5 串扰 106
6.5.1 容性串扰 106
6.5.2 磁性串扰 111
6.6 阻抗匹配 112
6.7 卡式连接器的管脚分配 114
6.7.1 串扰 115
6.7.2 特性阻抗和失配 117
6.7.3 连接阻抗 117
6.8 OV参考接地至外壳 119
6.9 用于PCB设计的EMC软件工具 119
6.10 PCB级辐射控制小结 120
第7章 母板和背板的发射控制 122
7.1 绕线背板 123
7.2 带有VCC和地平面的单层或多层母板 124
7.3 串扰和阻抗匹配 124
7.3.1 串扰 124
7.3.2 阻抗匹配 125
7.4 背板接口处的连接器区域 125
7.5 连接器区域增加的辐射 126
第8章 控制开关电源的辐射场 128
8.1 基本辐射源 128
8.2 实际电流波形影响 130
8.3 封装与电路布局 132
8.3.1 变压器和扼流圈的磁泄漏 133
8.3.2 供电PC板 136
8.3.3 次级环路 136
8.3.4 机电封装 136
8.4 屏蔽电源模块 138
8.5 电源滤波器对辐射EMI的影响 139
第9章 通过内部布线和封装减小辐射EMI 144
9.1 卡-卡及背板互连 144
9.2 内部同轴和屏蔽线缆 146
9.3 某些隐蔽的辐射天线 149
9.4 参考地和相应的环路的内部连接 152
9.5 I/O连接器区域 154
9.6 其他的辐射EMI源 166
第10章 机箱屏蔽 167
10.1 如何确定机箱衰减要求 167
10.2 材料的屏蔽效能 169
10.3 导电塑料的屏蔽效能 173
10.4 场衰减槽形孔缝 175
10.5 改变理想的“墙洞”模型 180
10.5.1 源接近孔缝对泄漏的影响 180
10.5.2 机箱的固有谐振效应 181
10.6 减少泄漏和孔缝处理的方法 183
10.6.1 接合面板和盖的接缝 183
10.6.2 冷却孔缝的屏蔽 186
10.6.3 部件孔洞的屏蔽 192
10.6.4 线缆入口、连接器及非导电穿孔的屏蔽 192
10.6.5 线缆穿孔附近的机箱泄漏的不利影响 196
10.7 特殊屏蔽处理的设备机壳 196
10.8 应用实例：给定SE目标值的机箱设计 199
10.9 用于大批量生产的消费产品的屏蔽组件 201
10.10 机箱屏蔽辐射控制小结 201
第11章 控制外部线缆的辐射 203
11.1 平衡接口的优点 203
11.2 线路平衡器件 205
11.2.1 信号隔离变压器 205
11.2.2 纵向非隔离变压器 206
11.3 通过加装铁氧体减小CM辐射 208
11.4 采用绞合减小DM辐射 212
11.5 通过屏蔽减小线缆辐射 214
11.5.1 同轴电缆的辐射场 216
11.5.2 屏蔽对或多芯屏蔽线缆的辐射场 220
11.5.3 屏蔽扁平电缆 221
11.5.4 屏蔽连接的重要性 222
11.5.5 由SE目标设定Zt 225
11.6 关于屏蔽与非屏蔽双绞线的讨论 227
11.7 采用光纤消除电缆辐射 228
第12章 主要辐射发射规范和测试方法 229
12.1 MIL-STD 461-C,D和462 229
12.2 CISPR国际限制标准、测试仪器和方法 232
12.3 FCC第15部分的子部分B 233
12.4 欧洲标准（EN）55022 233
12.5 德国VDE 871 233
12.6 EN 55014/CISPR 14 235
12.7 日本非官方干扰控制委员会（VCCI） 236
12.8 FCC第18部分 236
12.9 CISPR 25：汽车电子 237
12.10 RTCA/DO-160 237
第13章 辐射EMI问题排故 239
13.1 符合规范的线缆辐射与机箱辐射 239
13.2 产品不能通过辐射发射测试时的策略：确定dB减缩量 239
13.3 I/O线缆CM电流（VHF频段）的辐射RFI电平的近似 246
附录A 修正的偶极子模型 251
附录B 一些支持简化辐射模型的验证结果 253
附录C PCB走线的电感和电容 255
附录D 几个由SPICE、MicroCap或类似仿真工具建立的元件模型的等效电路 258
参考文献 259