目录 1
前言 1
Ⅰ．总论 1
1．GaAs和InP材料的研究 1
Ⅱ．制备——合成、提纯及晶体生长 45
2．InP和GaAs的制备和电学性质 45
3．砷化镓单晶的制备及其性质 52
4．砷化镓浮区提纯设备 59
5．InAs单晶和GaAs单晶的制备 68
6．生长砷化镓单晶的设备 71
7．含挥发组元材料的注射筒式单晶炉 73
8．砷化镓拉晶炉 75
9．砷化镓晶体生长中沾染的原因 84
10．论高纯度砷化镓的制备 97
11．合成砷化镓用的AIN容器 101
12．GaAs晶体在〈111〉极性方向的生长 109
13．用化学方法制备InAs,InP,GaAs及GaP 111
14．汽相生长的砷化镓晶体 114
15．从汽相中生长GaP和GaAs晶体的方法 118
16．在Ge单晶上外延汽相生长GaAs 125
17．外延砷化镓的生长速率 127
Ⅲ．腐蚀和晶体缺陷 129
18．砷化镓的腐蚀试验 129
19．砷化镓中的腐蚀坑 137
20．用腐蚀法显示砷化镓（111）面上的位错 141
21．一种适用于Ⅲ-Ⅴ族半导体的抛光腐蚀剂 143
22．砷化镓单晶的极性 145
Ⅳ．化学性质和物理性质 149
23．In-As,Ga-As和In-P体系的P-T-x相图 149
24．金属间化合物的氧化性—Ⅲ∶Ⅲ-Ⅴ族化合物的室温氧化性 161
25．GaAs的热氧化性 168
26．砷化镓和砷化铟在熔化区和液态时某些物理性质的研究 170
27．砷化镓的某些性质 176
28．砷化镓中的价带内跃迁 180
29．n型砷化镓中的红外吸收和电子有效质量 183
30．GaAs的光吸收限及其对电场的依赖关系 191
31．简并的p型GaAs的吸收限 198
32．砷化镓的晶格吸收 204
33．砷化镓的一些电学物理性质 212
34．GaAs低温电学性质 221
35．p型和n型砷化镓晶体中的杂带 234
36．n型砷化镓杂带中的导电 241
37．n型砷化镓的电学性质 244
38．强简井砷化镓的载流子散射 259
39．砷化镓中的能斯脱-厄廷好森效应 267
40．砷化镓中的光谱能量和载流子散射 271
41．n型GaAs中的能斯脱效应 283
42．GaAs的高温霍耳系数 287
43．GaAs的能带结构和电子输运 290
44．砷化镓中的能带 317
45．砷化镓半绝缘体 327
46．半绝缘GaAs的性质 331
47．高阻GaAs的制备和性质 339
48．高阻晶体的光电子分析（a）GaAs（b）Sb2S3 350
49．扩散铜补偿高阻砷化镓的性质 366
50．半绝缘砷化镓中的光电导性 394
51．半绝缘砷化镓中的Dember效应和光电磁效应 402
52．GaAs中的少数载流子寿命 406
53．GaAs中的载流子寿命 414
54．GaAs中的直接复合和半导体三极管设计中的一些推论 419
55．由砷化镓发射出的复合辐射 428
56．GaAs中的复合辐射 431
57．锌在砷化镓中的扩散 436
Ⅴ．热处理、杂质扩散及其行为 436
58．锌和镉在砷化镓中的扩散 446
59．铜在砷化镓中的扩散，溶解度和电学行为 454
60．用铜扩散制备p型GaAs的性质 462
61．砷化镓中铜的沉积 471
62．砷化镓的热处理 473
63．n型GaAs中的热转变 479
64．用辐射能对n型GaAs进行热处理 481
65．n型GaAs的辐射效应及退火 485
66．p型GaAs中的杂质能级和迁移率 489
67．p型GaAs中杂质的测量 493
68．砷化镓中镁电离能的测量 511
69．砷化镓中Li的电学性质 515
70．GaAs中锰的行为 519
71．硅在砷化镓中的影响 522
72．砷化镓中锗的行为 525
73．砷化镓中硒的行为 528
74．砷化镓中杂质的分配系数 536
附录 砷化镓的主要性质和腐蚀剂 547
补充参考文献 554