目录 1
第十五章 半导体分立器与集成电路 1
一、 概况 1
(一)工业生产水平 1
(二)生产规模与工业布局 8
(三)产品结构 13
(四)本国市场与进出口 14
(五)设备投资 16
(六)研究与发展 18
二、集成电路工业的发展及日美“半导体战争” 21
(一)集成电路工业发展的特点 21
(二)高速发展的几个因素 22
(三)日美“半导体战争” 26
三、半导体集成电路的技术水平 31
(一)各类集成电路的技术水平 31
(二)半导体集成电路的工艺水平 48
(一)微波器件 54
四、半导体分立器件的技术水平 54
(二)功率器件 58
(三)敏感器件与光电子器件 64
五、发展趋势与预测 66
(一)八十年代的重大技术进展和普遍采用的先进技术 66
(二)几种新型器件的开发 67
(三)集成电路今后发展预测 74
第十六章 真空电子器件 77
一、微波电子管 77
(一)国外微波管工业概况 77
(二)国外微波管技术水平 90
(三)微波管的未来发展 110
二、发射管 113
(一)中短波广播发射管的现状 113
(二)单边带发射管 114
(三)电视发射管 114
(四)调频广播发射管 115
(五)工业用发射管 116
(六)脉冲发射管 116
(七)中小功率超高频发射管 117
(八)发射管的共同性问题 117
(九)国际上发射管工业的技术经济状况 118
第十七章 电阻器和电容器 124
一、 概述 124
(一)产量产值 124
(二)产品结构和市场结构 131
(三)生产规模 134
(四)投资 135
(五)劳动生产率 136
(六)发展趋势 136
二、 固定电阻器 141
(一)碳膜电阻器 141
(二)实芯电阻器 143
(三)金属膜电阻器 144
(四)金属箔电阻器 148
(五)线绕电阻器 149
(六)电阻网络 149
(七)印刷电阻电路 152
(八)片状电阻器 154
三、 电位器 156
(一)概况 156
(二)水平 157
(三)发展方向 158
四、 电容器 162
(一)铝电解电容器 162
(二)钽电解电容器 168
( )有机薄膜电容器 170
(四)陶瓷电容器 171
(五)云母电容器 174
(六)可变电容器 174
一、概况 176
(一)需求趋势 176
第十八章 厚、薄膜混合集成电路 176
(二)设计和工艺的新进展 179
(三)混合电路技术应用及其扩展 180
(四)混合集成电路的技术趋势 180
二、混合集成电路的集成方式及其应用 182
(一)厚膜集成 182
(二)薄膜集成 184
(三)Himic电路 187
三、典型厚膜成膜工艺介绍 189
(一)丝网印刷工艺 189
(二)烧结工艺 190
四、厚膜浆料 191
(一)导体浆料 191
(二)电阻浆料 194
(三)介质浆料 197
(二)切断短路条设计调阻法 198
(一)改变电阻几何形状 198
五、调阻技术 198
(三)功能调阻 199
(四)调阻技术发展趋势 199
六、组装技术 200
(一)常用组装工艺 200
(二)高密度组装的特殊工艺 201
(三)多层布线 201
(四)封装结构 203
一、概述 205
(一)敏感元件重要地位 205
七、结语 205
第十九章 敏感元件 205
(二)市场动态 206
(三)今后动向 208
二、热敏元件 214
(一)PTC热敏电阻器 214
(二)NTC热敏电阻器 215
(四)高温热敏电阻器 216
(三)CRT热敏电阻器 216
(五)有机高分子热敏电阻器 217
(六)薄膜热敏电阻器 218
三、压敏电阻器 219
(一)概况 219
(二)生产水平 220
(三)发展特点和动态 225
(一)概况 228
四、湿敏元件 228
(二)各类湿敏元件 230
(三)发展动向和趋势 234
五、光敏元件 239
(一)光敏元器件 239
(二)光电传感器及其应用 245
六、力敏元件 246
(一)概况 246
(二)金属应变计式压力传感器 247
(三)半导体压力传感器 250
(四)发展动向 255
七、气敏元件 257
(一)概况 257
(二)水平 258
(三)趋势和展望 259
八、磁敏元件 260
(一)霍耳元件 260
(三)结型磁敏元件 263
(二)半导体磁敏电阻器 263
(四)半导体磁敏元件的应用和动向 264
九、新型电子敏感元件 265
(一)红外传感器 265
(二)紫外线传感器 266
(三)颜色传感器 266
(四)光纤声传感器 267
(五)酵素(酶)传感器 267
(六)微生物传感器 268
(七)离子传感器 268