硅的半导体性质 秋山健二 1
目 录 5
编者前言 5
超纯硅制备的化学工艺的研究方向 H.Hoffman 12
四氯化硅的吸附提纯法 H.C.Theuerer 24
以氢气还原法制取纯硅 藤田荣一 32
用西用子法制造高纯度硅 瓜生敏三 46
由碘化法中间工厂制造高纯度硅 C.S.Herrick,J.G.Krieble 53
由硅烷制备高纯度硅 C.H.Lewis,H.C.Kelly,M.B.Giusto,S.Johnson 67
用水平浮区法提纯硅 上羽正信 76
用于高温熔炼过程的冷坩埚 H.F.Sterling,R.W.Warren 82
晶体生长的新技术 中沼尚 85
浮区法生长的硅单晶中的位错 秋山健二，山口次郎，久保修治 101
超纯硅的霍耳效应和电导率的测量 A.Hoffmann,K.Rauschel,H.Rupprecht 118
由低温霍耳数据确定和验证硅中的杂质 R.T.Bate,I.R.Weingarten,D.J.Shombert 123
以霍耳测量评价多晶硅 P.J.OIshefski,D.J.Shombert,I.R.Weingarten 131
p型硅中杂质的补偿和磁阻 D.Long,C.D.Motchenbacher,J.Myers 138
半导体材料及高纯金属中微量杂质的测定 В.А.Назаренко 159
应用空心阴极放电来分析硅中的杂质 Х.И.Зильберштеййн等 173
四氯化硅中痕量硼的光谱分析 T.J.Veleker,E.J.Mehalchick 176
在用活化法测定二氧化硅中杂质时离子交换色谱分离方法的应用 А.И.Калинин,Р.А.Кузнецов,В.В.Моисеев,А.Н.Мурин 184
固体的质谱分析 N.B.Hannay 189
同位素稀释法测定硅中的硼 D.C.Newton,J.Sanders,A.C.Tyrrell 201
硅中痕量硼经水热提纯法分离后用光度法测定 C.L.Luke,S.S.Flashen 212
硅中痕量硼经溴化和非固相分离后用光度法测定 F.A.Pohl,K.Kokes,W.Bonsels 221
超纯硅中痕量杂质的分析 F.A.Pohl,W.Bonsels 235
挥发性硅化合物的分析法 W.J.McAleer,M.A.Kozlowski,P.I.Pollak,R.G.Denkewalter 242