第1章 微电子器件的分类与命名方法 1
1.1 微电子器件的分类 1
1.2 微电子器件的命名方法 3
1.2.1 国产微电子器件的型号命名方法 3
1.2.2 主要国家和地区半导体分立器件命名方法 9
第2章 微电子器件的主要电性能参数及检测 9
2.1 主要电性能参数 13
2.1.1 半导体分立器件 13
2.1.2 集成电路 19
2.2 微电子器件的检测 24
2.2.1 微电子器件的检验规则 24
2.2.2 半导体分立器件的测试 25
2.2.3 集成电路的测试 41
2.3 微电子器件测试仪器 52
2.3.1 分立器件的测试仪器——STS 8103A半导体分立器件测试系统 61
2.3.2 集成电路的测试仪器 61
第3章 微电子器件的二次筛选 65
3.1 电子元器件筛选的目的与要求 65
3.2 确定元器件筛选程序的依据 65
3.3 筛选程序 65
3.4 筛选试验项目 65
3.4.1 高温存贮试验筛选（稳定性烘焙） 65
3.4.2 电老炼筛选 67
3.4.3 温度循环试验筛选 74
3.4.4 密封检漏筛选 76
3.4.5 晶体管热敏参数快速筛选试验 83
3.4.6 粒子碰撞噪声检测试验筛选（PIND试验） 85
3.5 筛选试验的利弊分析 87
3.5.1 筛选付出的代价 87
3.5.2 元器件二次筛选的局限性和风险性 87
3.5.3 对主要筛选试验项目的分析 88
3.6 筛选程序规范及举例 90
3.6.1 对军用半导体分立器件的筛选试验要求 91
3.6.2 对军用集成电路的筛选试验要求 96
3.6.3 筛选程序举例 98
3.7 筛选试验设备 99
3.7.1 SPZH-T高温分立器件综合老炼检测系统 100
3.7.2 SPJT-G大功率晶体管老炼筛选系统 102
3.7.3 SPDC-T DC/DC电源高温老炼检测系统 104
第4章 电子元器件的选择与控制 107
4.1 微电子器件的质量等级 107
4.2 电子元器件的失效率等级 112
4.3 “七专”元器件 113
4.4 元器件的选择规则 114
4.5 电子元器件的质量控制 116
4.5.1 制定元器件可靠性保障大纲 116
4.5.2 对电子物资部门的要求 117
4.5.3 研制整机电子元器件的质量控制 118
第5章 微电子器件的可靠性应用 121
5.1 电浪涌对器件造成的损伤与防范 121
5.1.1 接通电容性负载时产生的浪涌电流 122
5.1.2 断开电感性负载时产生的浪涌电压 122
5.1.3 驱动白炽灯时产生的浪涌电流 125
5.1.4 数字集成电路开关工作时产生的电流浪涌 125
5.1.5 直流稳压电源引起的浪涌 127
5.1.6 接地不当导致器件损坏 128
5.1.7 TTL电路防浪涌干扰的应用 128
5.2 噪声对微电子器件的影响 131
5.2.1 对接地不良引起噪声的防范 131
5.2.2 对静电耦合和电磁耦合产生噪声的防范 133
5.2.3 对反射引起噪声的防范 134
5.3 温度对微电子器件的影响 134
5.4 机械过应力对器件的损伤 135
5.4.1 引线的形成与切断 135
5.4.2 在印制板上安装器件 136
5.4.3 焊接 137
5.4.4 器件在整机系统中的布局设计 138
5.4.5 运输 138
5.5 微电子器件的降额使用 139
5.5.1 微电子器件最大额定值的概念 139
5.5.2 合理降额 139
5.5.3 在降额使用时应注意的问题 152
5.6 微电子器件的抗辐射应用 153
5.6.1 抗辐射加固在电子整机系统的器件选择 153
5.6.2 电子整机系统中的抗辐射措施 155
5.7 常用集成电路应遵守的一般规则 157
5.8 集成稳压器的应用与安全保护 158
5.8.1 集成稳压器的保护电路 158
5.8.2 使用中的安全保护 159
第6章 失效分析 162
6.1 失效分析所具备的基本条件 162
6.1.1 专业分析人员 162
6.1.2 分析设备及相关测试仪器 162
6.1.3 失效分析环境条件要求 163
6.2 微电子器件失效分析的一般程序 163
6.2.1 开封前 164
6.2.2 开封后 165
6.3 微电子器件失效模式与失效机理分析 165
6.3.1 微电子器件的制造工艺概述 165
6.3.2 工艺缺陷技术术语简介 166
6.3.3 失效模式与失效机理 167
6.4 失效机理分析 168
6.4.1 表面失效机理分析 169
6.4.2 体内失效机理分析 170
6.4.3 电极系统及封装的失效机理分析 174
6.5 利用测试特性曲线进行分析 176
6.5.1 PN结特性曲线 176
6.5.2 晶体管异常输出特性曲线 179
6.5.3 测试IC管脚电特性分析失效原因 181
第7章 静电对微电子器件的危害与防范 185
7.1 静电的危害 185
7.1.1 静电效应 185
7.1.2 静电的危害 186
7.1.3 静电对电子产品的损害形式 187
7.2 静电敏感器件（SSD）的分级 188
7.2.1 静电放电敏感度的分类 188
7.2.2 人体带电模型 191
7.3 静电的防护 193
7.3.1 建立安全工作区 193
7.3.2 静电接地技术及其应用 194
7.3.3 静电防护的基本要求 195
7.3.4 静电的防护措施 197
7.4 防静电保护 200
7.4.1 防静电保护元件 200
7.4.2 防静电器材 202
第8章 半导体二极管 204
8.1 整流二极管 204
8.1.1 1N系列整流二极管 204
8.1.2 2DP系列整流二极管 205
8.1.3 快速恢复整流二极管 205
8.2 稳压二极管 206
8.2.1 2CW37系列稳压二极管 206
8.2.2 2CW系列稳压二极管 208
8.2.3 1N系列玻封硅稳压二极管 209
8.3 开关二极管 210
8.3.1 2CK系列硅开关二极管 210
8.3.2 1N系列开关二极管 212
8.4 微波二极管 213
8.4.1 简介 213
8.4.2 点接触二极管主要特性参数 214
8.4.3 肖特基势垒二极管 216
8.4.4 PIN二极管 229
8.4.5 体效应二极管 236
8.4.6 变容二极管 239
8.5 点接触二极管 247
第9章 半导体三极管 249
9.1 半导体三极管的结构 249
9.2 半导体三极管的分类 249
9.3 半导体三极管的工作原理 249
9.4 半导体三极管的特性曲线 251
9.5 中小功率三极管 252
9.6 开关三极管 258
9.7 高反压三极管 269
9.8 大功率三极管 273
9.9 低噪声三极管 282
9.10 双三极管 283
9.11 达林顿晶体管 285
第10章 集成电路 287
10.1 数字集成电路 287
10.1.1 CMOS电路主要性能参数 287
10.1.2 数字集成电路外引线排列图 300
10.2 模拟集成电路 300
10.2.1 常用集成运算放大器主要性能参数 301
10.2.2 集成运算放大器的封装形式及引脚排列 303
10.2.3 运算放大器基本应用电路 304
参考文献 309