第1章 导论：纳米技术的多学科性质与探索前沿表征技术的必要性 1
第2章 结构性质与电子性质的第一原理（从头算起）模拟研究 17
第3章 纳米结构的电学性质表征 55
第4章 采用高分辨率X射线衍射技术（XRD）的半导体异质结构的应变与组分确定 93
第5章 透射电子显微镜（TEM）技术用于成像与半导体异质结构的组分确定 133
第6章 通过光致发光技术（PL）以了解半导体纳米结构的结构性质与电子性质 175
第7章 Ⅲ族元素氮化物（Ⅲ-nitride）的异质结构中的与功率大小有关的阴极发光：从内部场屏蔽到可控能带带隙调制 209
第8章 拉曼谱技术 249
第9章 用于半导体异质结构与纳米结构研究的X射线吸收精细结构（XAFS）方法 289
第10章 受同步辐射光照的纳米结构：对表面敏感的X射线技术及异常散射 331
第11章 用于研究纳米结构的结构性质的掠入射衍射异常精细结构（GIDAFS）方法 371
第12章 光发射谱在异质结研究中的作用 407
第13章 半导体异质结构界面与界面层的电子自旋谐振（ESR）谱分析方法 435
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