第一章 OMVPE方法概述 1
1.1 引言 1
1.2 外延技术的比较 2
1.3 OMVPE生长过程概述 7
参考文献 14
第二章 热力学 16
2.1 相平衡的热力学基础 17
2.2 相图 34
2.3 外延生长的热力学驱动力 60
2.4 固态组分 65
2.5 四元系 81
2.6 表面热力学 82
参考文献 89
第三章 表面物理过程 99
3.1 引言 99
3.2 表面测量技术 100
3.3 表面特性的直接观测 105
3.4 原子级生长过程 108
3.5 表面过程对OMVPE生长的影响 122
参考文献 126
第四章 源物质 131
4.1 引言 131
4.2 Ⅱ族源 140
4.3 Ⅲ族有机源 141
4.4 Ⅴ族有机源 147
4.5 Ⅵ族源 168
4.6 金属有机掺杂源 173
参考文献 175
第五章 动力学 186
5.1 背景 186
5.2 OMVPE生长过程 194
5.3 单相热解反应 197
5.4 多相热解反应 240
5.5 有序 246
参考文献 252
第六章 流体力学与质量输运 262
6.1 引言 262
6.2 OMVPE的完全流体力学处理 263
6.3 边界层模型 271
6.4 卧式OMVPE反应室近似分析方法 272
6.5 反应室设计应用 276
参考文献 277
第七章 OMVPE生长过程设计 279
7.1 OMVPE生长的综合模型 279
7.2 动力学限制的生长 282
7.3 中等温度下所有气压范围内的生长过程 301
7.4 高温区 306
7.5 Ⅱ／Ⅵ族化合物的OMVPE生长 307
7.6 总体工艺过程设计 315
参考文献 331
第八章 OMVPE生长的材料 340
8.1 GaAs 340
8.2 AlGaAs 352
8.3 GaInAs,AlInAs和AlGaInAs 360
8.4 InP 364
8.5 GaP,GaInP,AlGaInP 370
8.6 As/P合金 375
8.7 锑化物及其合金 380
8.8 Ⅲ／Ⅴ族氮化物，AlGaInN 391
8.9 Ⅲ／Ⅴ族半导体的选区生长 398
8.10 Ⅱ／Ⅵ族半导体 399
8.11 Ⅳ族半导体 404
8.12 非半导体材料 405
参考文献 408
第九章 超晶格 426
9.1 AlGaAs/GaAs 429
9.2 GaInAs/InP 434
9.3 AlGaInP/GaInP 438
9.4 GaInAs/GaAs 440
9.5 AlGaInN 443
9.6 应变层超晶格 444
9.7 Si衬底上的GaAs 445
9.8 SiGe合金 446
9.9 Ⅱ/Ⅵ化合物 447
9.10 掺杂超晶格 449
9.11 原子层外延（ALE） 450
参考文献 454
第十章 器件 462
10.1 注入式激光器和LED 463
10.2 光电二极管 479
10.3 电子开关器件 481
10.4 太阳能电池 486
10.5 总结 488
参考文献 488
文中缩略语 497
金属有机源分子符号 500
索引 502