第0章 绪论 1
0.1 何谓集成电路工艺 1
0.2 集成电路制造技术发展历程 3
0.3 集成电路制造技术特点 5
0.4 本书内容结构 7
第1单元 硅衬底 10
第1章 单晶硅特性 10
1.1 硅晶体的结构特点 10
1.2 硅晶体缺陷 15
1.3 硅晶体中的杂质 18
本章小结 23
第2章 硅片的制备 24
2.1 多晶硅的制备 24
2.2 单晶硅生长 25
2.3 切制硅片 33
本章小结 36
第3章 外延 37
3.1 概述 37
3.2 气相外延 40
3.3 分子束外延 53
3.4 其他外延方法 57
3.5 外延缺陷与外延层检测 60
本章小结 63
单元习题 64
第2单元 氧化与掺杂 66
第4章 热氧化 66
4.1 二氧化硅薄膜概述 66
4.2 硅的热氧化 71
4.3 初始氧化阶段及薄氧化层制备 85
4.4 热氧化过程中杂质的再分布 86
4.5 氧化层的质量及检测 90
4.6 其他氧化方法 94
本章小结 97
第5章 扩散 98
5.1 扩散机构 98
5.2 晶体中扩散的基本特点与宏观动力学方程 101
5.3 杂质的扩散掺杂 105
5.4 热扩散工艺中影响杂质分布的其他因素 110
5.5 扩散工艺条件与方法 116
5.6 扩散工艺质量与检测 121
5.7 扩散工艺的发展 125
本章小结 126
第6章 离子注入 127
6.1 概述 127
6.2 离子注入原理 128
6.3 注入离子在靶中的分布 134
6.4 注入损伤 142
6.5 退火 146
6.6 离子注入设备与工艺 153
6.7 离子注入的其他应用 156
6.8 离子注入与热扩散比较及掺杂新技术 160
本章小结 163
单元习题 164
第3单元 薄膜制备 166
第7章 化学气相淀积 166
7.1 CVD概述 166
7.2 CVD工艺原理 167
7.3 CVD工艺方法 173
7.4 二氧化硅薄膜的淀积 183
7.5 氮化硅薄膜淀积 189
7.6 多晶硅薄膜的淀积 193
7.7 CVD金属及金属化合物薄膜 197
本章小结 201
第8章 物理气相淀积 202
8.1 PVD概述 202
8.2 真空系统及真空的获得 203
8.3 真空蒸镀 207
8.4 溅射 215
8.5 PVD金属及化合物薄膜 225
本章小结 230
单元习题 231
第4单元 光刻 234
第9章 光刻工艺 234
9.1 概述 234
9.2 基本光刻工艺流程 235
9.3 光刻技术中的常见问题 242
本章小结 243
第10章 光刻技术 244
10.1 光刻掩膜版的制造 244
10.2 光刻胶 254
10.3 光学分辨率增强技术 258
10.4 紫外光曝光技术 267
10.5 其他曝光技术 271
10.6 光刻设备 279
本章小结 284
第11章 刻蚀技术 285
11.1 概述 285
11.2 湿法刻蚀 286
11.3 干法刻蚀 290
11.4 刻蚀技术新进展 302
本章小结 303
单元习题 304
第5单元 工艺集成与封装测试 306
第12章 工艺集成 306
12.1 金属化与多层互连 306
12.2 CMOS集成电路工艺 313
12.3 双极型集成电路工艺 322
本章小结 327
第13章 工艺监控 328
13.1 概述 328
13.2 实时监控 329
13.3 工艺检测片 329
13.4 集成结构测试图形 335
本章小结 342
第14章 封装与测试 343
14.1 芯片封装技术 343
14.2 集成电路测试技术 354
本章小结 366
单元习题 367
附录A 微电子器件制造生产实习 368
A.1 硅片电阻率测量 368
A.2 硅片清洗 371
A.3 一次氧化 373
A.4 氧化层厚度测量 374
A.5 光刻腐蚀基区 375
A.6 硼扩散 377
A.7 pn结结深测量 379
A.8 光刻腐蚀发射区 380
A.9 磷扩散 381
A.10 光刻引线孔 382
A.11 真空镀铝 382
A.12 反刻铝 383
A.13 合金化 384
A.14 中测 385
A.15 划片 385
A.16 上架烧结 386
A.17 压焊 386
A.18 封帽 387
A.19 晶体管电学特性测量 387
附录B SUPREM模拟 391
B.1 SUPREM软件简介 391
B.2 氧化工艺 392
B.3 扩散工艺 392
B.4 离子注入 393
参考文献 394