加速发展1微米技术，把我国微电子产业提高到新水平（代序） 1
1～1.5微米硅VLSI的发展（综述） 3
32k字节集成高速缓冲存储器 21
8ns 256k Bi CMOS RAM 29
一种5V单电源页面型擦除的单管256k E2PROM 36
具有地址多路传送的22ns的1M位CMOS高速DRAM 41
TX1型32位微处理机的设计 47
一种用于开关系统、执行速度为560万条指令／秒（5.6MIPS）的调入—处理式处理机 54
用于高清晰度电视系统的带有单管DRAM行存储器的视频编码／译码器LSI电路 60
单片16位25ns即时视频／图象信号处理器 65
用于调制解调器的前端处理器 71
10位视频Bi CMOS跟踪—保持放大器 77
采用流水线式宽带S/H的8位50MHz CMOS分级A/D转换器 87
用于ANSI际准ISDN收发信机的数字信号处理器 95
高速1M位DRAM制作中的工艺技术 104
CMOS VLSI 1.2微米工艺技术 109
CMOS有源器件和场隔离的制造 118
CMOS器件的隔离和闩锁效应的防止 127
CMOS接触与互连 131
具有LDD结构的CMOS热载流子保护 137
兆位级电路对应的超净技术 143