1.1 概述 1
1.2 平面显示器的分类 1
第1章 绪论——低温多晶硅的时代 1
1.3 低温多晶硅开发历史 3
1.4 低温多晶硅的优势 5
1.4.1 高清晰度与高开口率 6
1.4.2 电磁干扰 8
1.4.3 周边驱动IC 9
1.4.4 低功率消耗 12
1.4.5 窄框化与高集成度 13
2.1 概述 17
2.2 LTPS薄膜晶体管的特性 17
第2章 低温多晶硅特性与结构 17
2.2.1 特性曲线 18
2.2.2 等效载流子迁移率 19
2.2.3 阈值电压 20
2.2.4 亚阈值摆幅 21
2.2.5 漏电流 22
2.3 低温多晶硅像素的结构 24
2.3.1 八次光刻的倒栅工艺流程 28
2.3.2 九次光刻的顶栅工艺流程 30
2.3.3 五次光刻的顶栅工艺流程 32
2.3.4 内建电路架构 34
第3章 低温多晶硅的可靠性 37
3.1 概述 37
3.2 LTPS器件可靠性 37
3.2.1 热载流子效应 38
3.2.3 短沟道效应 39
3.2.2 动态可靠性测试 39
3.2.4 窄沟道效应 41
3.2.5 驼峰效应 43
3.2.6 扭曲效应 44
3.2.7 自发热效应 46
3.2.8 低频噪声特性 48
3.2.9 辐射效应 50
3.3 LTPS阵列可靠性 51
3.3.1 静电泄放伤害 51
3.3.2 环境与工艺过程中的ESD防护 53
3.3.3 阵列与内建电路的防护 54
3.4.1 接触式测试 57
3.4 阵列测试 57
3.4.2 非接触式测试 59
3.4.3 阵列修补 60
第4章 LTPS氧化层技术 65
4.1 概述 65
4.2 玻璃基板 65
4.2.1 玻璃种类 67
4.2.2 玻璃特性 69
4.3 缓冲层 72
4.4 栅绝缘层 74
4.4.1 氧化硅层 75
4.4.2 氮化硅层 77
4.4.3 其他栅氧化层 78
4.4.4 表面粗糙度 79
4.4.5 清洗技术 80
4.5 层间绝缘层 82
4.5.1 上部透明导电电极结构 83
4.5.2 平坦化工艺 84
4.5.3 氢化工艺 88
第5章 LTPS多晶硅成膜技术 95
5.1 概述 95
5.2 直接淀积型多晶硅 95
5.2.1 触媒式化学气相淀积 97
5.2.2 硅溅射工艺 97
5.3 再结晶型多晶硅 98
5.3.2 金属诱导横向晶化法 99
5.3.1 固相晶化 99
5.3.3 准分子激光晶化 101
5.4 激光晶化系统 104
5.4.1 准分子激光源 104
5.4.2 光学与基板承载系统 105
5.5 多晶硅成膜机制 105
5.5.1 部分熔融区 107
5.5.2 接近完全熔融区 108
5.5.3 完全熔融区 108
5.6 晶化质量的提升 109
5.6.1 重叠照射 109
5.6.2 非晶硅厚度 111
5.6.3 抗反射层 111
5.6.4 晶化气氛与温度 112
5.6.5 分析工具 113
5.7 下一代多晶硅技术 115
5.7.1 循序性横向晶化 116
5.7.2 固态激光晶化 117
5.7.3 连续波激光横向晶化 119
5.7.4 选择性扩大激光晶化 120
5.7.5 连续硅晶界 121
第6章 LTPS离子注入技术 125
6.1 概述 125
6.2 显示器用注入系统 125
6.2.1 质量分析式离子注入 126
6.2.2 离子云式注入机 127
6.2.3 等离子体注入与固态扩散式 128
6.3 漏极与源极端掺杂 129
6.3.1 氢含量的影响 132
6.3.2 反型注入 134
6.3.3 交叉污染 135
6.3.4 光刻胶碳化效应 135
6.4 轻掺杂漏极 136
6.4.1 高能量注入 140
6.4.2 低电流注入 140
6.5 沟道掺杂 141
6.6 离子激活工艺 142
6.6.1 激光激活法 142
6.6.2 快速热退火激活法 145
6.6.3 高温热炉管激活法与自激活法 147
7.2 日本低温多晶硅的开发 153
7.1 概述 153
第7章 低温多晶硅面板开发现况 153
7.2.1 东芝（TOSHIBA） 154
7.2.2 松下（MATSUSHITA） 157
7.2.3 三洋（SANYO） 160
7.2.4 索尼（SONY） 162
7.2.5 夏普（SHARP） 165
7.2.6 精工爱普生（SEIKO-EPSON） 167
7.2.7 富士通（FUJITSU） 169
7.2.8 日立（HITACHI） 172
7.2.9 日本电器（NEC） 174
7.2.10 三菱（MITSUBISHI） 176
7.3.1 LG-Philips 178
7.3 韩国低温多晶硅的开发 178
7.3.2 SAMSUNG 181
7.4 台湾低温多晶硅的开发 183
第8章 低功耗显示技术 187
8.1 概述 187
8.2 功率消耗 187
8.3 薄膜二极管显示器 188
8.3.1 MIM二极管的原理与结构 189
8.3.2 TFD二极管的原理与结构 190
8.3.3 二极管面板的驱动方式 192
8.4 反射式液晶显示器 194
8.4.1 反射板设计 195
8.4.2 外部补偿设计 196
8.5 半透式液晶显示器 197
8.4.3 其他反射式显示面板 197
8.5.1 比例设计 198
8.5.2 彩色滤光片设计 198
8.5.3 背光与组装模组 201
8.6 省电设计 203
8.6.1 嵌入式SRAM 204
8.6.2 嵌入式DRAM 206
第9章 大面积低温多晶硅的挑战 211
9.1 概述 211
9.2 大面积玻璃基板 211
9.2.1 电阻-电容时间延迟 213
9.2.2 无接缝技术 214
9.3.1 低阻值引线技术 216
9.3 前段阵列工艺 216
9.3.2 微细加工工艺 218
9.3.3 刻蚀工艺 221
9.4 后段液晶模组 223
9.4.1 液晶滴注法 223
9.4.2 集成式黑色矩阵 223
9.4.3 集成间隔体 224
9.4.4 集成彩色滤光片 225
9.4.5 背光模组 230
9.4.6 广视角 230
9.5 画面驱动系统 231
9.5.1 过激励驱动 232
9.5.2 背光源驱动 233
9.6 大面积有源矩阵平面影像感测器 234
9.6.2 间接式检测 236
9.6.1 数字X射线摄像技术 236
9.6.3 直接式检测 238
9.6.4 信号存储与读取电路 239
第10章 有源有机电致发光显示技术 243
10.1 概述 243
10.2 AMOEL的历史 243
10.3 AMOEL驱动方式 245
10.3.1 无源OEL 246
10.3.2 低温多晶硅AMOEL 247
10.3.3 非晶硅AMOEL 247
10.3.4 单晶硅AMOEL 249
10.4 AMOEL彩色化与制造流程 249
10.4.1 热蒸镀法 250
10.4.3 喷墨印刷法 254
10.4.2 旋转涂布法 254
10.4.4 彩色滤光片 255
10.4.5 色转换法 255
10.5 阴阳电极特性 256
10.5.1 阳极材料 257
10.5.2 表面处理 258
10.5.3 底层表面形态 260
10.6 OEL面板可靠性 260
10.6.1 封装技术 260
10.6.2 干燥材料 261
10.7 有机发光二极管驱动设计 262
10.7.1 下部发光型像素 262
10.7.2 上部发光型像素 265
10.7.3 模拟驱动设计 266
10.7.4 数字驱动设计 269
第11章 可弯曲低温多晶硅显示技术 273
11.1 概述 273
11.2 玻璃基板的限制 273
11.2.1 塑胶基板特性 274
11.2.2 基板形变 276
11.2.3 可弯曲的显示媒介 277
11.3 可弯曲有源器件 279
11.3.1 薄膜二极管 281
11.3.2 非晶硅晶体管 281
11.3.3 有机薄膜晶体管 282
11.4 可弯曲的低温多晶硅 284
11.4.1 低温缓冲层 286
11.4.2 多晶硅形成 287
11.4.3 低温氧化层 289
11.4.4 离子注入与激活 291
11.4.5 低温透明导电电极 293
11.5 塑胶基板转贴技术 296
11.5.1 SUFTLA转贴技术 296
11.5.2 基板刻蚀与塑胶贴合技术 297
11.5.3 流动式自行组装 298
第12章 低温多晶硅的未来 303
12.1 低温多晶硅技术蓝图 303
12.2 低温多晶硅的挑战 306
12.3 结语 307
附录 半导体设备暨材料协会（SEMI）标准 309