■微电子科学技术和集成电路产业 3
战略研究 3
■历史机遇与我国微电子发展之路 46
■2020年，把我国建成微电子强国 58
■不到长城非好汉 61
■今日长缨在手，何时缚住苍龙 77
■建设产前技术研发联盟，自主创新、增强核心竞争力 86
■附录：知识产权是微电子产业建设的关键 94
■21世纪的硅微电子学 99
发展前沿综述 99
■日新月异的微电子技术 106
■Technology Innovation and Talent Cultivation（技术创新与人才培养） 112
■面向产业需求的21世纪微电子技术的发展 121
■硅集成电路光刻技术的发展与挑战 142
■超深亚微米集成电路中的互连问题 165
■微电子芯片技术发展对材料的需求 185
■微机电系统 204
■A High-Performance SOI Drive-in Gate Controlled Hybrid Transistor（一个高性能SOI退火推进型栅控混合晶体管） 213
第一部分 SOI/CMOS器件与电路研究 213
学术论文 213
■Comprehensive Analysis of The Short Channel Effect in The SOI Gate Controlled Hybrid Transistor（SOI栅控混合晶体管短沟效应的全面分析） 220
■The Behavior of Narrow-Width SOI MOSFET's with MESA Isolation（采用MESA隔离的窄宽度SOI MOSFET器件的特性） 235
■采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究 248
■Hot Carrier Induced Degradation in Mesa-Isolated n-Channel SOI MOSFETs Operating in a Bi-MOS Mode（工作在Bi-MOS模式下MESA隔离的n沟SOI MOSFET的热载流子导致的退化） 253
■全耗尽SOI MOSFET辐照导致的阈值电压漂移模型 263
■一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型 269
■适用于数模混合集成的SOI MOSFET的失真分析 276
■一个解析的适用于短沟SOI MOSFET's的高频噪声模型 284
■A Two-Dimensional Physically-Based Current Model for Deep-Submicrometer SOI Dynamic Threshold-Voltage MOSFET（用于深亚微米SOI动态阈值电压MOSFET的一个基于物理机制的二维电流模型） 292
■A Novel Idea:Using DTMOS to Suppress FIBL Effect in MOSFET with High-k Gate Dielectrics（一个新的用DTMOS抑制MOSFET的FIBL效应的方法） 306
■Distortion Behavior for SOI MOSFET（SOI MOSFET的失真行为） 315
■Design Guideline of an Ultra-Thin Body SOI MOSFET for Low-Power and High-Performance Applications（高速低功耗超薄体SOI MOSFET的设计方法） 320
第二部分 超深亚微米器件研究——模型，TCAD,High-K 327
■Effect of Grain Boundary on Minority Carrier Injection into Polysilicon Emitter（晶粒边界对少数载流子注入多晶硅发射极的影响） 327
■The Influence of Tunneling Effect and Inversion Layer Quantization Effect on Threshold Voltage of Deep Submicron MOSFET（隧穿效应和反型层量子化效应对深亚微米MOSFET的影响） 338
■Computer Simulation on Low Energy Ion Implantation Based on Molecular Dynamics Methods（基于分子动力学方法的低能离子注入的计算机模拟） 347
■3～6nm超薄SiO2栅介质的特性 357
■Threshold Voltage Model for MOSFETs with High-K Gate Dielectrics（高K栅介质MOSFETs的阈值电压模型） 362
■Interfacial and Structural Characteristics of CeO2 Films on Silicon witha Nitrided Interface Formed by Nitrogen-Ion-Beam Bombardment（采用氮离子来轰击形成的硅上CeO2的氮化物界面层的表面和结构特征） 368
■Influences of H？ and He+ Co-implantation into Silicon on Electric Characteristics of MOSFETs（氢氦联合注入硅对MOSFET电性能的影响） 378
■Atomistic Simulation of Defects Evolution in Silicon During Annealing After Low Energy Self-Ion Implantation（原子模型模拟硅离子注入硅衬底的退火过程中的缺陷演化） 386
■Highly Scaled CMOS Device Technologies with New Structures and New Materials（采用新结构和新材料高度等比例缩小CMOS器件技术） 396
第三部分 微机电系统（MEMS）研究 418
■Silicon-Glass Wafer Bonding with Silicon H ydrophilic Fusion Bonding Technology（采用硅亲水熔融键合技术实现硅／玻璃键合） 418
■A Bulk Micromachined Vibratory Lateral Gyroscope Fabricated with Wafer Bonding and Deep Trench Etching（利用圆片键合和深刻蚀技术制造的体硅横向振动陀螺） 424
■An Improved TMAH Si-Etching Solution Without Attacking Exposed Aluminum（一种不腐蚀Al的TMAH硅腐蚀液） 433
■A Small Equipment of Q study of Microgyroscope（陀螺品质因子小型测试系统） 445
■An Experimental Study on High-Temperature Metallization for Micro-Hotplate-Based Integrated Gas Sensors（基于微热板的集成化学传感器高温金属化实验研究） 451
■硅基MEMS加工技术及其标准工艺研究 466
■Fabrication of Keyhole-Free Ultra-Deep High-Aspect-Ratio Isolation Trench and Its Applications（无空洞超深高深宽比隔离槽制造技术及应用） 483
■Simulation of The Bosch Process with a String-Cell Hybrid Method（采用线-单元混合模型进行BOSCH仿真） 497
■Integrated Bulk-Micromachined Gyroscope Using Deep Trench Isolation Technology（采用深槽刻蚀技术的集成体硅陀螺） 513
第四部分 RF与电路研究 520
■Numerical Calculation of Electromigration Under Pulse Current with Joule Heating（考虑焦耳热的脉冲直流下电迁移数值计算） 520
■Dependence of Electromigration Caused by Different Mechanisms on Current Densities in VLSI Interconnects（VLSI互连中不同机制下电迁移特性与电流密度的关系） 535
■多晶硅发射极超高速集成电路工艺 548
■Study on a Lateral-Electrical-Field Pixel Architecture for FLC Spatial Light Modulator with Continuously Tunable Grayscales（可连续调节灰度的FLC光谱调节器的横向电场像素结构研究） 557
■基于单元故障模型的树型加法器的测试 566
科学研究方法论 579
■贵在执著，重在分析，在系统的科学研究工作中必将有所发现、有所发明 579
■诺贝尔奖离我们并不遥远 586
■物理学研究与微电子科学技术的发展 596
产业建设 609
■建设8英寸0.25微米集成电路生产线项目建议书 609
■论信息化与微电子产业 616
■北京要建设先进的集成电路芯片制造厂 633
■关于建设深圳微电子芯片制造厂的建议 637
■如何把国家集成电路设计上海产业化基地做强，做大 650
■关于专用设备产业建设的意见 663
■在中芯国际12英寸投产典礼上的讲话 667
教书育人 671
■从美国加州伯克利大学研究生的培养看我国研究生制度的改革 671
■创新与人才培养 676
■在迎接2002年理科和文科新生会上的讲话 687
■立大志，常为新，成大器 689
■学校教育帮助我树立了一生的抱负 691