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第一部分 VLSI/ULSI中多晶硅薄膜的研究 1
第二部分 POLYSIDE和SALICIDE MOS器件结构的研究 39
第三部分 SOI结构器件和电路的研究 83
第四部分 MOS绝缘层物理和器件及互连可靠性的研究 167
第五部分 多晶硅发射极器件及新器件的研究 247
第六部分 发展综述 313
第七部分 战略研究 347
第八部分 科学研究方法论 383
发表著作及论文总目录 397
后记 407