目录 1
第1章 p-n结二极管 1
1.1 p-n结及其空间电荷区 1
1.2 p-n结的耗尽层（势垒）电容 4
1.3 p-n结的直流特性 6
1.4 p-n结的小信号特性 12
1.5 p-n结的开关特性 14
1.6 p-n结的击穿特性 15
1.7 隧道二极管和反向二极管 18
1.8 异质结二极管 22
1.9 Schottky二极管 26
1.10 Ohm接触 29
复习思考题 30
参考文献 31
2.1 BJT的基本工作原理 32
第2章 双极型晶体管（BJT） 32
2.2 理想BJT的直流特性 35
2.3 实际BJT的直流特性 43
2.4 BJT的频率特性 56
2.5 BJT的功率特性 67
2.6 BJT的开关特性 74
2.7 异质结双极型晶体管（HBT） 81
2.8 晶闸管（Thyristor） 87
复习思考题 90
参考文献 91
第3章 场效应晶体管（FET） 93
3.1 JFET的基本特性 93
3.2 JFET的直流参数和低频小信号交流参数 95
3.3 JFET的频率特性 99
3.4 短沟道JFET的特性 102
3.5 JFET的结构举例 104
3.6 砷化镓金属栅场效应晶体管（GaAs MESFET） 106
3.7 高电子迁移率晶体管（HEMT） 108
复习思考题 119
3.8 大尺寸MOSFET 119
3.9 小尺寸MOSFET 137
3.10 SOI-MOSFET 152
复习思考题 154
参考文献 155
第4章 其他半导体器件 156
4.1 渡越时间器件（TTD） 156
4.2 转移电子器件（TED） 172
复习思考题 186
参考文献 186
第5章 微电子器件的计算机辅助分析（CAA）和计算机辅助设计（CAD） 188
5.1 微电子器件的模型 189
5.2 微电子器件的计算机辅助分析（CAA） 192
5.3 微电子器件的CAD技术 206
5.4 微电子器件CAA和CAD技术的发展趋势 216
参考文献 218
第6章 MEMS器件 219
6.1 MEMS技术现状及前景 219
6.2 用于通信领域的MEMS器件 223
6.3 用于生化医学领域的MEMS器件 228
6.4 用于惯性测量的MEMS器件 232
6.5 几种 MEMS微执行器 239
参考文献 249
第7章 纳米器件简介 251
7.1 纳米器件工艺概论 251
7.2 纳米体系中的电子波 256
7.3 电子波器件 272
7.4 单电子学——Coulomb阻塞效应 282
7.5 单电子器件 290
7.6 纳米集成电路概论 302
参考文献 308