《半导体器件译丛 3 总第10期》PDF下载

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  • 作  者:济南市半导体元件实验所情报资料室编辑
  • 出 版 社:济南市半导体元件实验所情报室资料室
  • 出版年份:1971
  • ISBN:
  • 页数:62 页
图书介绍:

(1)氮化硅通过氧的影响转变为二氧化硅 1

(2)硅上氮化硅和氮氧化硅薄膜作扩散掩蔽 10

(3)氧化硅做氮化硅的腐蚀掩蔽 14

(4)用氯进行硅气相腐蚀 16

(5)锑扩散的掺杂氧化物淀积系统 21

(6)硅器件工艺过程中氯化氢吸附的使用 28

(7)离子沾污引起的低电流hFE的退化 32

(8)hFE的雪崩衰降 47

(9)半导体片中掺杂分布的直接图示方法 59