第1章 绪论 1
1.1半导体存储器简介 1
1.2相变存储器概述 8
1.3相变存储器研究现状 12
1.4相变存储器的发展趋势 14
参考文献 19
第2章 Ge2Sb2Te5相变材料及其改性 22
2.1 Ge2Sb2Te5薄膜的制备与性能表征 22
2.2 Ge2Sb2Te5薄膜的氮掺杂 30
2.3 Ge2Sb2Te5薄膜的氧离子掺杂 38
2.4纳米复合相变材料 45
参考文献 49
第3章 新型相变材料 52
3.1新型相变材料筛选理论与方法 52
3.2 SiSbTe相变材料 66
3.3环境友好无碲SiSb相变材料 81
参考文献 101
第4章 相变存储单元制备及关键工艺 106
4.1纳米加热电极 106
4.2相变材料的干法刻蚀工艺 110
4.3化学机械抛光（CMP） 116
4.4电子束曝光工艺 128
参考文献 138
第5章 相变存储器模拟 141
5.1相变存储单元读、写操作的器件模拟 141
5.2 Hspice电学模拟 164
参考文献 173
第6章 新结构相变存储单元 175
6.1基于夹在多晶锗层间的GeSbTe PCRAM器件 175
6.2相变存储器用三氧化钨下加热层 187
6.3相变存储单元底电极结构的改进——针状电极 191
6.4横向纳米线结构 197
参考文献 204
第7章 相变存储器测试 206
7.1材料电性能表征测试 206
7.2器件电性能测试及操作特性测试 209
7.3工艺一致性测试及WAT 217
7.4产品测试 219
第8章 相变存储器设计与制造 221
8.1相变存储器的整体结构 221
8.2相变存储单元设计 222
8.3驱动模块设计 224
8.4基准电路设计 227
8.5控制逻辑设计 228
8.6相变存储器芯片制造 229
参考文献 253