第一部分 硅材料 1
一、硅单晶质量 1
提高大规模集成电路N型硅单晶质量的研究&王大平 1
区熔硅单晶在高压电镜中的加热动态观察&巴群汝 1
直拉硅单晶微缺陷组态的观察&麦振洪 崔树范 林汝淦 2
P型直拉硅单晶中漩涡缺陷生成的研究&万群 秦福 3
热处理对硅单晶电学性能的影响&刘倩如 李艳荣 高敬媛 李丽华 3
370℃硅中氧沉积的红外吸收观测&李光平 张兆英 朱玉霄 4
直拉硅单晶碳沾污的研究&粱骏吾 黄大定 汪光川 尹恩华 杨雪珍 王承运 5
硅中氧化层错的成核与生长&鲍希茂 嵇福权 黄信氏 5
多晶硅激光退火的研究&邹世昌 林成鲁 倪如山 王济身 徐静芳 陈建武 6
硅中注砷的连续CO2激光退火的研究&邹世昌 林成鲁 林梓鑫 范宝华 吴恒显 7
表面层无微缺陷的LSI硅片的获得&万群 杜茂云 吴岱智 肖治纲 秦福 袁隐 7
CZ硅单晶中的氧含量对微缺陷行为的影响&张一心 程美乔 张泽华 刘淑琴 8
热处理硅中的氧与碳&许振嘉 8
热处理硅中的氧碳沉淀&许振嘉 蒋四南 孙伯康 刘江夏 9
硅中碳的固溶度及单晶质量&梁骏吾 邓礼生 郭钟光 郑红军 刘凤祥 10
直拉法生长硅单晶时石英坩埚和石墨托埚之间的相互作用&张维连 徐岳生 10
重掺锑硅单晶电阻率均匀性和消除管道析出的研究&施承启 陈育文 单春梅 11
退火直拉硅单晶中漩涡缺陷的TEM观察&钱家骏 范缇文 林兰英 12
直拉硅漩涡缺陷形成的初步探讨&林汝淦 张金福 麦振洪 崔树范 12
SiC14氢化反应的探索——提高超纯硅实收率与纯度的途径&刘凤伟 汪光裕 13
汽相硅单晶生长&斯崇奎 黄兆斌 杨传铮 14
直拉硅单晶中氧条纹或漩涡分布图样的无缀饰X射线貌相观察&徐岳生 14
中子嬗变N型硅单晶在大功率晶体管中的应用&楼定占 孙淑玉 等 15
二、硅材料物理性质 16
硅单晶退火工艺研究&张永达 16
多晶Si的激光辐照&王永瑜 17
用红外光弹性观测硅单晶中的应力&赵寿南 尹洪辉 周佐平 顾学甫 17
用氧化——沸腾腐蚀检测硅片中漩涡缺陷&张家坚 王俊杰 李学博 严诗蕴 张永达 18
“OS”法显示硅片漩涡时的雾状缺陷干扰及消除方法&张家坚 王俊杰 李学博 严诗蕴 张永达 19
双重吸杂机制的研究&叶以正 周士仁 钦万昌 周伟东 杨奎 高扬 19
国产多晶硅中的碳化硅微夹杂物和缺陷的电镜观察&高愈尊 万群 20
SiO2抛光损伤层厚度测量&朱景梅 21
硅单晶中漩涡缺陷显示的新方法&陈存礼 陈强 21
区熔硅单晶中的硅氢键及氢致缺陷&麦振洪 崔树范 22
TTL集成电路用（111）单晶硅片的晶向偏离试验&李祥轩 23
热处理硅中的新施主&许振嘉 孙伯康 王万年 张泽华 刘江夏 何广平 23
用光荧光法测定硅单晶中硼和磷的浓度&孟庆惠 于鲲 李永康 许振嘉 陈廷杰 吴灵犀 徐寿定 24
IMA分析中Si中B的离化率补偿曲线和Si中B的定量深度分析&李之仁 25
滚球机在测薄层厚度方面的应用&陈德英 庄庆德 郑其径 吴振婵 25
关于少子寿命测量中注入比的讨论&曹泽淳 滕志义 张正明 26
硅材料少子寿命分布的扫描测量技术——激光高频法&曹泽淳 滕志义 陈世正 黄国松 吴正纯 张正明 黄家美 吴兰珍 27
高频光电导衰减法测硅单晶锭中少子寿命的计算公式&陈学全 27
扩展电阻法测量亚微米硅外延层载流子浓度分布&林树治 宋毅 魏广富 29
由MOS结构对线性电压扫描的瞬态响应测定产生寿命和表面产生速度&张秀淼 包宗明 苏九令 29
用电子顺磁共振法测离子注入硅中的损伤缺陷&王者福 张增佑 材料物理组 30
中子辐照Si损伤的EER测量&钱佑华 陈良尧 31
用任意四点接触测量半导体薄层电阻率的表达式及其F数表&孙毅之 张又立 徐维明 31
绝缘边界对扩展电阻测量的影响&陈存礼 32
三、外延生长 33
绝缘衬底上CVD多晶硅薄膜的激光处理&石万全 姚德成 刘世祥 朱美芳 曹有祺 商作起 ？加峰 33
SiCl4氢还原低压外延生长体系的热力学研究&徐宝琨 赵慕愚 33
选择外延工艺进展&崔峘 朱忠伶 34
硅同型外延界面与电活性离子注入分布的显微观测&曾庆城 罗庆芳 朱向锋 王水凤 35
多晶硅薄膜淀积的核化和早期生长&郑其经 陈德英 庄庆德 吴振婵 35
硅烷热分解进行单晶/多晶同步淀积&庄庆德 陈德英 郑其经 吴振婵 36
异常高速生长的硅晶塔及其动力学解释&黄一湘 36
硅微波大功率晶体管用的双层外延材料&石志曾 胡福兴 彭佳馨 张桂香 37
兰宝石上异质外延硅淀积条件的选择&何林 37
对通隔离的集成电路外延片上的滑移和堆垛层错&顾毓洞 38
用于p+-n-p+型高速I2L新结构的薄外延工艺&姜延玲 祁望春 38
SiC14氢还原低压硅外延生长的研究&刘倩如 李艳荣 王云生 刘明登 杨树人 许新民 李跃相 39
硅多层变浓度外延研究&须轮 陈宏毅 朱佩华 刁金珠 39
对以有机胺及NaOH为介质的SiO2胶体抛光机理与工艺的探讨&孙守志 朱家科 40
低压CVD系统动力学研究及其工艺条件的计算&丁成玉 41
硅外延层中铁沾污量对微缺陷形貌的影响&孙安纳 敖治有 42
硅（111）晶片外延后图形微畸变的研究&陈明琪 杨传铮 王广福 42
电路芯片PN结隔离外延&陈现应 43
P型硅外延三溴化硼掺杂工艺&安策 43
冷冻纯三溴化硼作为外延掺杂源的探讨&戴玉玲 黄再兴 曹翰林 陈秀玲 44
激光法生长硅膜&刘洪庆 郭雅生 吴振球 45
硅外延衬底的位错&闵靖 45
封闭技术在P/P+型外延中的应用及效果&姚家宁 46
SiH4的连续红外激光化学反应&吴振球 刘洪庆 47
硅外延翘边探讨&刘玉岭 48
P+πP双面外延片的试制&张佩显 宫瑞敏 纪金堂 49
第二部分 半导体集成电路 50
一、双极型集成电路 50
微米亚微米双极集成电路设计理论&佟慧茹 黄敞 50
硅平面器件制造中诱生缺陷与发射区陷落效应&尹洪辉 孟福坤 许立宪 51
高精度低漂移集成运放KD207&陈金松 51
X63集成脉宽调制器&林如霭 高石林 龙绍周 52
1000MHz ECL超高速分频器&蒋宗树 牛庆昌 52
多元逻辑电路在多值逻辑系统应用中的新发展&郑启伧 黄贯光 53
用多元逻辑电路实现多值逻辑ROM和PLA&郑启伦 郑学仁 黄贯光 162
集成四象限模拟乘法器LE431的设计工艺与测试应用&余关松 郭恩文 史载明 张瑞敏 54
影响双极型大规模集成电路成品率的因素&张敏 55
TTL RAM 1024×1的研制&吴佛春 56
低电压微功耗按需型心脏起搏器集成电路&茅有福 56
一种减少TTL电路输入漏电流新结构的尝试&沈昭年 杨宝同 57
用多元胞自动布局方法设计LSI版图&沙蕗 唐璞山 57
注入逻辑存储单元写电流分析&沈文正 邹务金 税有先 58
TTL小规模集成电路母片设计法&尹嘉祥 59
有源馈电多元逻辑线性与或门&王守觉 王玉富 石寅 谭茂恒 59
用双层逻辑电路构成中大规模集成电路的研究&林雨 魏书铭 勘学芝 等 60
<V 052—2>时钟发生器和驱动器电路的设计和工艺&王志强 李柏生 61
高速TTL电路输入交义漏电流的试验研究&陈帮沂 61
集成双极晶体管厄莱电压的研究&秦世才 贾香鸾 王朝英 于本超 62
集成电路逻辑综合新算法&刘汉龙 62
单片十位/八位数模转换器4E602电路研制&鲍慧君 程君侠 洪远丰 王煜 章倩苓 邵丙铣 63
横向扩散晶体管（TDT）&何民才 李润梅 64
用于集成多值逻辑DYL电路的阈值电路（MV-DYL阈门）&郑学仁 刘百勇 黄兆俊 曾绍洪 64
三值逻辑DYL的集成电路实现&刘百勇 黄兆俊 郑学仁 曾绍洪 等 65
三值多元逻辑电路（TV-DYL）线性“与或”门的瞬态特性&刘百勇 郑学仁 黄兆俊 曾绍洪 66
单片模拟集成锁相环KD8041&谢家纯 赵天鹏 张鉴华 范传洲 67
用于集成电路的铂硅肖特基结&章定康 蔡俊莲 宗淑霞 67
高输入阻抗运算放大器的失调电压的内部调整&杨步仪 68
高速低功耗TTL电路的探研&复旦大学物理系 大规模集成电路研究室数字电路课题组 68
TTL256×1位RAM的设计研制和测试&蒋品荣 叶其蓉 陈鸿宾 管绍茂 69
厄莱电压测试仪&秦世才 贾香鸾 69
集成压阻式压力换能器电路&吴宪平 鲍敏杭 晋琦 70
基于图形输入板的制版语言——ICMASK—709/D&万咸明 喻凤鸣 70
ICMASK——709/A制版语言&万咸明 喻凤鸣 71
用母片工艺法试制达国际水平的TTLIC&黄顺华 71
TTL——256随机存贮器的设计分析&叶治平 72
P+NP+型高速注入逻辑字符编码器的设计及工艺控制&中国科学院计算技术研究所高速注入逻辑专题组 72
提高TTL集成电路的有效途径——甚高速电路系列研制报告&张吉华 73
多元胞布局中自动布线的一种算法——快速最优通道布线算法（FOCR）&吴祖增 73
极高速多元逻辑电路（DYL）线性“与或”门的研究&王守觉 李致洁 刘训春 朱荣华 卢希尧 74
二、MOS型集成电路 75
052微处理器&中国科学院上海冶金研究所微处理器小组 75
一个小型机上的ISI CAD系统的方案及其初步实施&洪先龙 柳西玲 76
CHBL（高跨导复合管互补电路）的试制&姚建楠 詹娟 茅盘松 76
512×320位面阵CCD摄象传感器和固体摄象机&俞忠钰 王炳雪 于步云 77
短沟道MOS器件及1K静态高速RAM&顾泰 王万业 李肇玲 78
单管单元随机存贮器的读出放大器的瞬态分析和设计&祝忠德 岑乐鼎 沈悌明 陈贤 79
半导体化学敏感器——离子敏感场效应晶体管&牛文成 丁世斌 于本超 王家华 任素梅 钱其璈 79
1μMESFET/SOS集成电路制备及液氮温度下器件的工作特性&沈国雄 赵鹏程 80
8192位可改编程序只读存储器&中国科学院上海冶金所EPROM小组 81
八位CMOS模——数转换器&蒋培成 周炘祥 朱荣锦 81
CMOS六施密特触发器——CH40106&沈雷 孙仿凤 82
一种离子注入耗尽型MOSFET模型——φs模型&但燊 张建人 82
一种高速低功耗N—MOS静态RAM&刘书泽 申明 徐葭生 83
一台新研制的中大规模数字集成电路测试系统&陈护勋 等 83
16位MOS动态RAM电路设计&仇玉林 陈朝枢 候秀芝 赵文元 和致经 王永燊 吴幼碧 金福林 芦胜林 滕学公 84
短沟道离子注入N沟E/D型MAOS集成电路研究&刘鹿生 林惠建 84
LSI版图图形编辑软件系统ZB-792&洪先龙 钟龙保 徐庆林 张文涛 85
单元电路的计算机终端编辑功能&谢文广 86
77—Ⅱ型微处理机的工艺研制&夏酉庭 孙吉伟 86
MOS大规模集成电路五位码字符号电路设计&杨学昌 87
用多晶硅电阻负载的SRAM&高保嘉 管洁 87
MOS电容电离辐照效应及加固方法研究&宋钦岐 88
氧的本征吸除工艺探讨及其在表面器件中的应用&河北工学院自动化系半导体材料教研室 89
热壁低压多晶硅淀积与电荷耦合器件制造&贾鸿智 张小林 89
MOS晶体管反型沟道中载流子的霍尔迁移率&邵丙铣 鲍慧君 程君侠 90
潮气氛对PMOS栅漏电的影响&陈玉琴 90
双扩散VMOS阈电压简单分析&刘可辛 罗升旭 苗庆海 梁本琪 91
转移效率的测试分析&李厚福 92
半导体表面势阱中信号电荷的读取&朱以南 李为翰 李治芳 93
BiMOS集成电流跟随器&赵腊月 钱其璈 94
MOS反相器输入栅电容的取值问题&吉利之 沈悌明 94
高跨导10瓦复合NOS器件&秦世才 王朝英 贾香鸾 于本超 95
MOS场效应晶体管的温度特性&王家骅 刘永 丁世斌 95
无可控硅效应的CMOS八路交换子&蒋培成 张全保 96
短沟道n沟硅栅MOS器件——HMOS研制&许康 罗桂昌 史遵兰 王为林 邵海文 季美华 96
提高铝栅CMOS电路质量的探讨&刘远华 朱荣锦 周炘祥 蒋培成 97
CMOS256位随机存储器&蒋培成 朱荣锦 刘远华 周炘祥 98
单管动态RAM中S/R放大器的检测灵敏度分析&陈弘毅 杨之廉 98
自给衬偏电路的简单分析及设计&汪仁里 石乘学 岳振伍 99
MOS动态RAM设计中的测试分析&赵文元 执笔 99
短沟道离子注入MASFET&林惠建 刘鹿生 100
大规模集成电路测试&王祥贵 100
高频C-V方法测量埋沟道电荷耦合器件的沟道电势&崔成烈 付志煌 吴瑞华 101
一种很有前途的MOS器件——VMOS管&孙彦卿 石广元 102
基础材料质量对LSI电路成品率的问题&江福来 102
三、半导体工艺 103
N沟硅栅工艺中沉积的二氧化硅层对光刻断铝的影响&宋良元 103
激光在线监控反应离子刻蚀技术&邹斯洵 灶元成 李炳宗 王国兴 103
双层多晶硅工艺研究及在16K位RAM中的应用&海潮和 陈焕章 徐秋霞 户焕章 104
平板电极等离子刻蚀铝&王玉玲 105
采用聚酰亚胺的等平面多层布线&肖文 105
大规模集成电路工艺中的高纯水&闻瑞梅 朱章铨 董跃 崔惠国 余爱武 106
优质高产低成本的LPCVD氮化硅膜的研究&田国华 李荣英 谢淑萍 张淑兰 曹友琦 107
电子束蒸发钼的质量评价&武蕴忠 孙承龙 108
低压化学蒸汽淀积（LPCVD）氮化硅薄膜的均匀性及LPCVD计算机模拟通式&王季陶 沈兆友 付国治 109
离子注入Si片的连续CO2激光退火&郭建根 沈金萱 赵有源 何懋麟 高如芳 钱红声 屈逢源 109
脉冲激光使硼在硅中扩散&姚杰 110
薄SiO2层的研究&罗夷伦 110
表面沟CCD器件制造中Si-SiO2结构特性的改善与监控&范进先 111
低压化学汽相淀积多晶硅工艺&汪师俊 孙纪云 于庆江 叶惠珍 王桂霞 夏西庭 112
Si栅等平面CMOS工艺&骊山微电子公司 四车间CMOS工艺线 112
微电子测试图形在双极型集成电路工艺中的应用&高达源 朱华昌 孙月珍 陈卫平 113
微电子测试图形在MOS集成电路工艺中的应用&朱华昌 高达源 赵向娅 付定候 李广根 岑乐丁 吕以金 冯国彦 113
浓硼微晶玻璃片状扩散源及微晶玻璃扩散机理的探讨&华良甫 114
大规模集成电路中的电子束蒸铝&吴大维 115
半导体清洗剂的示踪法优选与在半导体器件生产工艺中的应用&荣庭文 秦俊法 王学波 李洪田 115
低温化学汽相淀积SiO2—PSG—SiO2钝化膜在集成电路表面保护工艺中的应用&蒋润富 佟世盐 116
对以有机铵及氢氧化钠为介质的SiO2抛光机理与工艺探讨&朱家科 117
As离子注入和注入元素高温再分布讨论&郑宜钧 范才有 117
《MoSi—Si3N4-Al》双层布线&黄国恩 118
片状磷微玻璃扩散源在Si中扩散&楼定占 118
减压CVD设备应用的扩充&潘桂忠 119
磷在亚微米多晶硅薄膜中的扩散特性&谢世忠 陈天鑫 119
非晶硅薄膜的钝化作用&何宇亮 杜家方 沈宗雍 李跃文 120
外延用兰宝石衬底抛光的研究&王缨 史月华 章熙康 121
反应离子刻蚀（RSE）在微细加工中的应用&严金龙 121
多晶硅在I2L电路中的应用&朱小明 122
新型磷扩散源——片状磷微晶玻璃&黄德琦 林关涛 薛正镠 陈春仙 123
片状磷微晶玻璃扩散源在Si中扩散&楼定占 123
砷离子注入硅的研究&卢武星 耒永春 卢殿通 王大椿 吴瑜光 罗晏 124
砷离子注入硅中电学激活性能的研究&卢殿通 耒永春 卢武星 王大椿 罗晏 124
硅电化学掺砷的研究&陈声涛 陈宝琼 劳彩玲 125
二氧化硅的等离子体刻蚀&史佩枋 126
纯硅烷的再提纯&夏立生 126
化学汽相淀积掺砷多晶硅膜初探&夏立生 127
克服断铝的一种方法——磷硅玻璃回流&胡永清 127
用于ECL电路的高阻多晶硅隔离技术&张承基 骆爱连 128
用丝网漏印法在硅片上涂敷黑胶&顾宗祥 129
低压硅外延反应室内的温度分布&王英民 李星文 李宝通 129
集成电路中的多晶硅器件&白玉鑫 玉百年 沈文正 130
二氧化锡薄膜的不等温离子体蚀刻&张华民 叶麦荣 130
重掺杂衬底的热氧化规律&郑增钰 程君侠 张国权 131
刻蚀铬版时用等离子体控制光刻图形正负性的工艺方法&马元龙 131
等离子化学汽相淀积氮化硅设备与工艺&钱福元 郑仰化 王怡德 132
硅器件电泳涂漆工艺总结&罗福新 丁成玉 133
Nb-约瑟夫森结的制造工艺&杨大炎 刘佑宝 张太峰 刘在琴 杨永坤 133
低压化学汽相淀积氧化硅&汪师俊 叶惠珍 孙纪云 于庆红 134
低压化学汽相淀积氮化硅薄膜技术及其在MOS大规模集成电路中的应用&吕以金 134
多晶硅在集成电路中的应用&白玉鑫 王百年 沈文正 135
半导体器件的稳定性可靠性与表面钝化及SiO2 P2O5SiO2低温淀积工艺&丛众 135
反应离子铣及其应用&金维新 盂宪光 尤大伟 胥兴才 136
一种新的钝化膜——半绝缘多晶硅（SIPOS）&万家训 137
露点法检测腐蚀接触孔的质量&吴德馨 徐秋霞 户焕章 137
CVD多晶硅“发乌”现象的研究——表面处理对多晶硅膜表面粒度大小的影响&赵玉玮 柴淑敏 高文方 刘淑珍 138
812洗涤剂在场效应管清洗工艺中的应用&祁金亮 139
四、工艺监控与测量 140
用PDP-11LIS型计算机对VDP测试结进行自动测试和数据处理&郑木财 张翼 140
微电子测试图形在集成电路工艺中的应用&朱华昌 高达源 赵向娅 付定候 李广根 岑乐丁 吕以金 冯国彦 140
激光退火对多晶硅结构和电学特性的影响&王阳元 张国炳 徐瑶 李宝环 141
集成电路工艺中的扫描电镜分析&张明 刘永宽 刘学如 肖化明 142
测定离子注入损伤层和光吸收膜的椭园偏振光谱法&莫党 陈树光 叶贤京 林树汉 142
一种快速测定MOS系统界面态密度分布的方法&梁国芹 143
硼离子注入硅剖面分布的研究&李国辉 张通和 王兴民 144
软x射线辐照在SiO2中引入的中性陷阱&郑有炓 吴凤美 145
注入样品激光退火杂质再分布效应的SIMS测定&邹世昌 柳襄怀 林成鲁 陆东元 阮刚 145
“全息”SIMS&陆东元 146
用MOS恒流瞬态谱线研究Si-SiO2系统中可动离子的能量分布&谭长华 许铭真 李树栋 146
中大规模电路芯片剖面结构的显微分析&曾庆城 倪敏 朱向峰 罗庆芳 王水凤 147
干法腐蚀过程中腐蚀速率和终点检测（He-Ne激光方式）&杜元成 王国兴 邹斯洵 周正利 148
集成电路工艺模拟程序SUPREM-2的移植及初步检验&阮刚 周正利 148
三角波扫描C-V法快速确定少子寿命和表面产生速度的实验技术&陈伟秀 石仲斌 149
大功耗双列直插外壳结构设计及热阻测试&方立明 叶曾达 149
硼离子注入硅再扩散的研究&王新民 卢志恒 李国辉 张通和 150
MOS器件沟道迁移率的测量&秦世才 贾香鸾 于本超 王朝英 151
可动氢离子引起的MOS结构不稳定性&郑有炓 吴凤美 江若连 周光能 151
用DLTS技术测定和分析半导体器件中的深能级杂质&孙勤生 152
硅衬底上SiO2薄膜介质层的击穿特性研究&王为林 何德湛 翁建华 许康 153
用光导仪测量热生长SiO2中的陷阱&王为林 153
栅氧化工艺监控中“MOS-O”结构的C-V特性&何德湛 154
脉冲C-T法及其在MOS工艺监控中的一些应用&何德湛 154
从MOS非稳态I-V特性测量硅体陷阱参数&吴凤美 155
砷注入硅的射程分布的测量与计算&戴仁之 邹世昌 155
场控P-N结击穿特性&刘玉书 157
气泡法显示针孔的原理及应用&童清云 杨文勇 张兵 邝野 158
适用于工艺流程中检测透明介质薄膜质量的椭园偏振光测试法&王守武 金才政 刘璐 159
硅片上磷硅玻璃薄膜中高磷的分析&高金玺 159
半导体器件的两维计算机模拟有限元法&谈根林 梁民基 武云健 160
一个面向集成电路的分析程序ADIC-1&谈根林 马玉良 梁建湘 刘燕军 刘凤先 汤平 刘秀芝 160
利用计算机进行范德堡自动测试和数据处理以检验半导体掺杂工艺的均匀性和重复性&曾文通 郑木财 刘玉书 161
第三部分 半导体专用设备 163
TDR-60型大直径直拉硅单晶炉（样机）的研制&朱黎辉 石观雨 163
电子束投影曝光装置研制的新进展&张祥龄 164
光刻设备中自动对准技术的研究&阮玉 白驹？ 游立德 邵娟 164
投影光束微细加工技术的研究&赵立人 165
LK-1离子束刻蚀机 1448所离子束刻蚀组 165
超高纯氢的获得与制取设备&李治昌 166
关于扩散炉温度控制精度和长期稳定性研究&施广大 范宝山 167
离子成象注入机的研究&张立宝 马祥彬 陈春华 李金荣 王纯 凌仲珪 孙宝银 167
国内外光刻机研制状况&徐鑫培 沈建森 168
激光干涉仪在精缩机中的应用&凌天仁 169
氮气终端化装置的研制&吴彦敏 于广洲 闵仁福 周继芝 169