第一部分 非晶半导体理论研究 1
1-1 非晶固体形成能力的理论推导 3
1-2 a-Si1-xNx:H薄膜拉曼谱的理论研究 9
1-3 非晶半导体中杂质和缺陷态的电子统计理论 15
1-4 用模拟退火模型研究非晶硅的结构和振动性质 21
1-5 掺硼a-SiC:H膜中热诱导缺陷的产生过程 26
1-6 非晶Si和非晶Si基合金半导体的g因子计算 34
1-7 薄膜生长的理论模型与Monte Carlo模拟 39
1-8 势阱中杂质薄层对双垒结构共振隧道的影响 44
第二部分 非晶硅基合金薄膜的制备及特性研究 50
2-1 SiH4和C2H4辉光放电法制备a-SixC1-x:H膜的光—电特性 51
2-2 GD a-SixC1-x:H膜中光电导的吸附和光诱导效应 59
2-3 a-SixC1-x:H膜的吸附和表面态研究 67
2-4 a-Si:H/a-SixC1-x:H多层膜的瞬态光电导 73
2-5 未掺杂a-Si:H/a-SixC1-x:H多层膜的瞬态光电导 80
2-6 GD a-Si:H/a-SixC1-x:H超晶格的光学性质 83
2-7 用逐次退火法研究a-Si:H/a-Ge:H多层膜的结构变化 86
2-8 a-GeNx和a-GeNx:H薄膜的制备及光电特性的研究 90
2-9 高温退火a-SiC:H膜光吸收边的影响 95
第三部分 非晶半导体薄膜缺陷态的研究 102
3-1 掺杂a-Si1-xCx:H和a-Si1-xNx:H膜的ESR和IR研究 103
3-2 由反应溅射法制备的B-掺杂a-Si:H膜的ESR研究 111
3-3 P,B-掺杂的a-Si1-xCx:H膜的高温ESR特性 117
3-4 a-Si1-xCx:H膜的LESR研究 121
3-5 氢化非晶锗碳薄膜中的自旋缺陷态 127
3-6 用核反应分析法测量掺杂a-SiC:H膜中的氢和硼浓度 133
第四部分 非晶硅碳薄膜材料的电子能谱 137
4-1 用XPS研究GD-a-SixC1-x膜中等离子体激元的特征 138
4-2 RS-a-SixC1-x:H合金膜的EELS研究 143
4-3 用电子能量损失谱研究GD-a-C:H膜的价电子特性 146
4-4 用UPS和EELS技术研究a-Si1-xCx:H膜的价电子特性 149
4-5 用EELS和UPS研究a-C:H膜的价电子行为 153
4-6 用紫外光电子能谱研究a-Si1-xCx:H的价带特性 157
第五部分 窄带隙材料和a-Si:H/a-SiGe:H叠层太阳电池的研究 163
5-1 RF-辉光放电法制备高光敏性a-SiGe:H膜 164
5-2 射频溅射法制备a-Si1-xSnx:H膜的结构特性 169
5-3 衬底温度对溅射a-Si1-xSnx:H合金膜结构的影响 177
5-4 反应溅射法制备的a-GeNx:H膜的IR和Raman谱 181
5-5 反应溅射法制备的a-GeNx:H膜退火行为的ESR研究 185
5-6 a-SiGex合金光学常数的研究 188
5-7 用核共振反应分析法研究a-Ge:H膜中氢浓度和分布 194
第六部分 非晶半导体膜的电致发光、纳米可见发光及场电子发射的研究 197
6-1 a-Si1-xCx:H/nin-p结构的注入电致发光 198
6-2 各种结构的a-Si1-xCx:H和a-Si:H器件的电致发光 201
6-3 nO/a-Si:H结构的注入电致发光 205
6-4 a-C:H膜的电致发光研究 208
6-5 a-C:H多层膜的电致发光 212
6-6 a-Si1-xCx:H/pn-结构的蓝—白电致发光 216
6-7 宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题 220
6-8 新型金刚石薄膜场电子发射的特性 226
第七部分 金刚石和类金刚石薄膜生长机理的研究 231
7-1 CVD-金刚石膜的表面能和形态 232
7-2 用原位光发射谱（OES）研究弧光放电法制备金刚石膜 238
7-3 直流弧光放电法合成金刚石膜的I-V特性 243
7-4 氢对金刚石膜和Zr,Hf衬底间过渡层的影响 248
7-5 在Si和W衬底上沉积金刚石膜的生长特性 254
7-6 用X-射线衍射谱研究金刚石薄膜结构 262
7-7 直流弧光放电CVD法制备金刚石薄膜及其等离子体的光发射谱原位测量 268
7-8 退火对a-C:H膜光学性质的影响 273
7-9 用微波等离子体化学气相沉积（MWCVD）法在（100）Si衬底上沉积织构金刚石膜 278
7-10 织构金刚薄膜的成核与生长 279
第八部分 高质量织构立方氮化硼（c-BN）薄膜的制备及织构特性研究 285
8-1 在Ni衬底上沉积高质量c-BN膜 286
8-2 在Ni衬底上c-BN的织构生长 291
8-3 c-BN薄膜的光学吸收边特性 295
8-4 立方氮化硼薄膜的织构生长 301
8-5 衬底材料对制备立方氮化硼薄膜的影响 304
第九部分 全碳分子（C60,C70…）的合成和特性研究 310
9-1 C60/PMMA薄膜中C60的晶化和取向 311
9-2 C60薄膜的红外研究 316
9-3 氮掺杂的富勒烯的ESR特性 321
9-4 氮掺杂富勒烯薄膜电学性质的研究 329
9-5 硫掺杂C60薄膜电学性质研究 332
第十部分 高质量氮化碳（β-C3N4）薄膜的制备及特性研究 336
10-1 β-C3N4的制备及若干问题探讨 337
10-2 氮化碳薄膜的结构与特性 340
10-3 结晶β-C3N4薄膜的制备和特性研究 344
第十一部分 硫系非晶半导体薄膜的制备与特性 349
11-1 Ge对非晶硫系半导体低温跳跃电导率的影响 350
11-2 非晶态As40S60-xSex薄膜光黑化效应的研究 356
11-3 非晶态硫系化合物半导体的制备和电导特性的研究 361
第十二部分 微重力和超重力对InSb晶体生长的影响 364
12-1 微重力和超重力环境下生长的InSb晶体的电学特性 365
12-2 微重力环境下InSb晶体生长 370