目录 1
1 导言 1
1.1 铁电体的基本性质：体材料 2
1.1.1 朗道-德冯谢亚理论 7
1.1.2 软模理论 11
1.1.3 临界指数 12
1.1.4 三临界点 13
1.1.5 无公度铁电体和ANNNI模型 16
1.2 铁电薄膜：退极化场和有限尺寸效应 18
1.2.1 小颗粒 22
2 RAM的基本性质 23
2.1 系统设计 25
2.2 实际器件 41
2.3 测试 44
2.3.1 脉冲测试 45
2.3.2 i（t）瞬态电流 47
2.3.3 漏电流测试 48
2.3.4 保持测试 48
2.3.5 印记测试 49
2.3.6 电容-电压关系C（V）测试 49
3 DRAM和NV-RAM的电击穿 51
3.1 热击穿机制 56
3.2 Von Hippel方程 59
3.3 枝晶状击穿 66
3.4 击穿电压不对称和漏电流不对称 73
4 漏电流 74
4.1 Schottky发射 74
4.2 铁电薄膜Schottky理论的修正 78
4.3 电荷注入 80
4.4 空间电荷限制电流SCLC 80
4.5 负电阻率 85
5 电容-电压关系C（V） 89
5.1.1 Richardson系数A＊＊ 92
5.1 支持薄耗尽层的方面 92
5.1.2 Schottky势垒高度对电子亲和势的依赖 97
5.1.3 出现在Schottky方程中的介电常数ε 98
5.1.4 Schottky修正的SCLC理论 100
5.1.5 空间电荷限制电流 101
5.2 支持完全耗尽薄膜的论据 101
5.3 Zuleeg-Dey模型 102
5.4 混合模型 105
5.5 基于XPS的能带结构匹配关系 106
5.6 离子空间电荷限制电流 109
6 开关动力学 114
7 电荷注入和疲劳 126
7.1 Dawber模型 127
7.2 钙钛矿铁电体中氧空位有序的疲劳机制 133
8 频率依赖 137
8.1 Ishibashi-Orihara理论 138
8.2 界面效应 139
9 制备过程中的相序 140
9.1 Sr缺损的优化薄膜 141
9.2 Bi元素的作用 142
10 SBT族Aurivillius相层状结构 143
10.1 RBS研究 144
10.2 重离子束研究 145
10.3 表面科学技术（XPS,UPS） 148
11 淀积和工艺 154
11.1 溶胶-凝胶旋涂淀积 155
11.2 溅射 156
11.3 金属-有机化学汽相淀积MOCVD 157
11.4 脉冲激光淀积PLD 160
11.5 金属-有机分解MOD 162
11.6 分子束外延MBE 163
12 非破坏性读出器件 164
12.1 铁电场效应管（FET） 164
13 基于超导体的铁电器件：相控阵雷达和10GHz～100GHz器件 168
14 薄膜黏结 174
15 电子发射和平面显示器 177
16 光学器件 179
17 纳米相器件 181
17.1 刻蚀 181
17.2 表面液滴外延 184
17.3 利用Bi表面液滴优化SBT的化学配比 185
17.4 边缘场 190
17.5 钛酸铋 192
18 缺点和不足 195
18.1 高制备温度 195
18.2 毒性 195
18.5 疲劳 196
18.6 印记 196
18.4 半选择干扰脉冲 196
18.3 表面和界面现象 196
18.7 尺度 197
18.8 短期瞬态电流 197
18.9 击穿 197
18.10 漏电流 198
18.11 抗辐照强度 198
18.12 前景 199
习题 202
参考文献 208
索引 235