第1章 半导体基础 1
1.1 半导体的定义 1
1.2 平衡载流子浓度与本征材料 4
1.3 杂质半导体材料 9
思考题 12
第2章 载流子的运动 14
2.1 载流子的漂移运动与扩散运动 14
2.2 产生-复合 18
2.3 连续性方程及其解 21
思考题 23
第3章 结 24
3.1 处于平衡状态的pn结 24
3.2 不同偏压下的同质pn结 30
3.3 理想二极管行为的偏离 36
3.4 载流子的注入、拉出、电荷控制分析及电容 39
3.5 肖特基势垒 44
思考题 47
第4章 双极结型晶体管 50
4.1 BJT工作原理 50
4.2 BJT的二阶效应 59
4.2.1 基区漂移 59
4.2.2 基区宽度调制／Early效应 60
4.2.3 雪崩击穿 60
4.3 BJT的高频特性 62
思考题 63
第5章 结型场效应晶体管和金属-半导体场效应晶体管 65
5.1 JFET工作原理 65
5.2 MESFET和MODFET工作原理 67
5.3 JFET和MESFET的定量描述 71
5.4 JFET小信号模型 76
思考题 78
第6章 金属-绝缘体-半导体结构和MOSFET 80
6.1 平衡态下的MIS系统 80
6.2 加偏压时的MIS结构 83
6.3 MOSFET的基本工作原理 91
6.4 MESFET和MOSFET的小信号特性 98
6.5 CMOS电路 101
思考题 104
第7章 短沟道效应及其对CMOS的挑战 107
7.1 短沟道效应 107
7.2 尺寸缩小理论 112
7.3 CMOS进一步小型化中遇到的挑战 116
思考题 118
第8章 超越CMOS 119
8.1 超越CMOS之外的发展 119
8.2 碳纳米管 123
8.3 传统计算与感知计算、分子和生物计算 125
8.4 分子电子学——分子二极管和二极管—二极管逻辑门 127
8.5 容错计算 130
8.6 量子原胞自动机 132
思考题 138
第9章 电信系统概述 139
9.1 光纤传输 139
9.2 放大器与中继器 141
9.3 移动蜂窝电信系统 142
9.4 蜂窝系统的器件类型 144
第10章 光电器件——发射器、光放大器和探测器 146
10.1 发光二极管 146
10.2 受激发射 150
10.3 激光器工作原理 154
10.4 半导体激光器的类型 156
10.5 掺铒光纤放大器 160
10.6 半导体光放大器 162
10.7 p-i-n光电探测器 163
10.8 雪崩二极管 166
思考题 170
第11章 无线系统中高频大功率晶体管 171
11.1 无线传输系统中晶体管的特性 171
11.2 异质结 175
11.3 MODFET器件 178
11.4 异质结双极晶体管（HBTs） 181
11.5 宽带隙半导体 183
思考题 186
参考书目 187