《功率半导体器件与应用》PDF下载

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  • 作  者:(瑞士)斯蒂芬·林德著;肖曦,李虹译
  • 出 版 社:北京:机械工业出版社
  • 出版年份:2016
  • ISBN:9787111534570
  • 页数:183 页
图书介绍:功率半导体器件又被称为电力电子器件,是电力电子技术的基础,也是构成电力电子变换装置的核心器件。本书基于前两章的半导体物理基础,详细介绍了目前最主要的几类功率半导体器件,包括pin二极管、晶闸管、门极关断晶闸管、门极换流晶闸管、功率场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。作为基础内容,书中详细描述了上述器件的工作原理和特性。同时,作为长期从事新型功率半导体器件研发的资深专家,作者还给出了上述各类器件在不同工作条件下的比较分析,力图全面反映功率半导体器件的应用现状和发展趋势。

第1章 半导体物理基础 1

1.1 硅的结构和特性 1

1.2 电荷迁移 11

1.3 载流子注入 17

1.4 电荷载流子的激发和复合 17

1.5 连续性方程 24

1.6 泊松方程 25

1.7 强场效应 26

第2章 pn结 29

2.1 pn结的内建电压 29

2.2 耗尽层(空间电荷区) 32

2.3 pn结的伏安特性 34

2.4 射极效率 40

2.5 实际的pn结 42

第3章 pin二极管 50

3.1 高压二极管的基本结构 50

3.2 pin二极管的导通状态 51

3.3 pin二极管的动态工况 59

3.4 二极管反向恢复的瞬变过程 67

3.5 二极管工作条件的限制 70

3.6 现代pin二极管的设计 72

第4章 双极型晶体管 77

4.1 双极型晶体管的结构 77

4.2 双极型晶体管的电流增益 78

4.3 双极型晶体管的电流击穿 83

4.4 正向导通压降 85

4.5 基极推出(“柯克”效应) 85

4.6 二次击穿 87

第5章 晶闸管 89

5.1 晶闸管的结构和工作原理 89

5.2 触发条件 91

5.3 静态伏安特性 91

5.4 正向阻断模式和亚稳态区域 92

5.5 晶闸管擎住状态 95

5.6 反向阻断状态下的晶闸管 98

5.7 开通特性 100

5.8 关断特性 106

第6章 门极关断(GTO)晶闸管与门极换流晶闸管(GCT)/集成门极换流晶闸管(IGCT) 110

6.1 GTO晶闸管 110

6.2 GCT 125

第7章 功率MOSFET 130

7.1 场效应晶体管基本理论 130

7.2 场效应晶体管的I(V)特性 136

7.3 功率场效应晶体管的结构 139

7.4 功率场效应晶体管的开关特性 148

7.5 雪崩效应 153

7.6 源极-漏极二极管(体二极管) 155

第8章 IGBT 156

8.1 IGBT的结构和工作原理 156

8.2 IGBT的I(V)特性 158

8.3 IGBT的开关特性 162

8.4 短路特性 168

8.5 IGBT的强度 168

8.6 IGBT损耗的折中方案 171

附录 176

附录A 符号表 176

附录B 常数 177

附录C 单位 177

附录D 单位词头(十进倍数和分数单位词头) 178

附录E 书写约定 178

附录F 电气工程中的电路图形符号 179

附录G 300K时的物质特性 180

附录H 缩略语 180

参考文献 181