目录 1
第一章 半导体基础知识 1
第一节 什么是半导体 1
1—1 什么叫半导体 1
1—2 空穴是怎样导电的 3
第二节 半导体的导电性 5
2—1 两种类型的杂质—施主和受主 5
2—2 少数载流子和多数载流子 7
2—3 载流子的迁移率 7
2—2 硅单晶电阻率与掺杂技术 3 7
2—5 非平衡载流子的注入、扩散、复合、寿命和俘获 9
2—4 平衡载流子与非平衡载流子 9
第三节 PN结及其性质 12
3—1 什么是PN结 12
3—2 PN结中的载流子扩散 12
3—3 PN结能带及势垒 14
3—4 两种类型PN结—突变结与缓变结 16
3—5 PN结的伏安特性 17
3—6 PN结的击穿 18
3—7 PN结的电容 22
1—2 拉单晶 34
第一节 直拉法生长硅单晶的简介 34
1—1 单晶，多晶和籽晶 34
第二章 硅单晶的制备及参数测量 34
1—3 拉单晶的主要设备及原料 35
第二节 拉晶前的准备工作 35
2—1 清洁处理 36
2—3 装炉 39
2—4 加热熔化 39
第三节 直拉法生长硅单晶的工艺过程 39
3—2 收颈 40
3—1 下种 40
3—3 放肩 41
3—4 等径生长 41
3—5 收尾拉光 41
第四节 硅单晶的物理测试 43
4—1 单晶体的检验 43
4—2 晶体的取向 44
4—3 位错的观察 45
4—4 导电类型的测定 47
4—5 电阻率的测量 48
4—6 非平衡少数载流子寿命的测量 50
4—7 影响晶体质量的其他参数的探索问题 52
第三章 外延工艺 53
第一节 外延工艺和原理 54
1—1 基本原理 54
1—2 外延设备 55
1—3 外延工艺 59
第二节 外延生长的原理及层错的形成 62
2—1 生长的原理 62
2—2 层错的形成 64
第三节 外延层的检验 65
3—1 电阻率的检验 65
3—2 外延层厚度的测量 68
3—3 层错（位错）的测量 69
3—4 夹层的检验 70
第四节 外延时出现的问题及解决的方法 72
4—1 外延层的电阻率与厚度的均匀性 72
4—2 夹层的产生 73
4—3 外延层的缺陷 74
第四章 晶体管的基本结构 77
第一节 合金管 78
第二节 平面管 79
1—2 光刻掩膜版应该满足的要求 81
1—1 制版的意义 81
第五章 制版技术 81
第一节 概念 81
1—3 制版的工艺流程 82
第二节 原图的制备 82
2—1 原图制备的方法 82
2—2 刻图的工艺过程 83
第三节 初缩 84
3—1 初缩机的主要装置及其要点 84
3—2 成象原理及物镜的选择 85
3—3 初缩工艺过程 86
第四节 精缩分步 87
4—1 精缩分步机的结构 88
4—2 精缩分步工艺的操作过程 88
4—3 精缩分步中问题的讨论 90
第五节 明胶版复印 91
5—1 意义及原理 91
5—2 复印的要点 91
第六节 显影、定影工艺 92
6—1 显影液的成分及作用 92
6—2 影响显影效果的主要因素 94
6—3 显影液的配制及使用 95
6—4 停显液、定影液配方及使用 96
第七节 超微粒干版的制备 97
7—1 超微粒干版（明胶版）的简介 97
7—2 超微粒干版的制备 97
7—3 制备超微粒干版的点滴体会 99
第八节 真空蒸铬 101
8—1 蒸铬的原理和蒸发系统 101
8—2 蒸发的工艺过程 102
9—2 铬版复印的工艺流程 103
9—1 铬版复印的原理 103
第九节 铬版复印 103
第六章 氧化扩散工艺 106
第一节 氧化原理及氧化方法 106
1—1 平面晶体管中二氧化硅层的作用 106
1—2 SiO2的形成方法和原理 108
1—3 氧化层厚度的测量 113
1—4 氧化工艺中的一些质量问题 114
第二节 扩散原理及扩散方法 116
2—1 概述 116
2—2 扩散方法的介绍 120
2—3 扩散的基本原理 129
2—4 扩散中的一些实际问题的讨论 143
第七章 光刻技术 148
第一节 光刻胶 149
第二节 光刻工艺流程 151
2—1 硅片的清洁处理 151
2—2 涂胶 152
2—3 前烘 153
2—4 对准与曝光 153
2—6 腐蚀 154
2—5 显影与坚膜 154
2—7 去胶检查 156
第三节 问题讨论 156
3—1 影响光刻分辨率的因素 156
3—2 浮胶 158
3—3 钻蚀 158
3—4 针孔 159
3—5 小岛 160
第四节 投影曝光和电子束曝光简介 160
4—1 投影曝光法 161
4—2 电子束曝光法 162
第一节 什么是欧姆接触 163
第八章 殴姆接触 163
第二节 两种欧姆接触 164
第三节 真空镀膜 165
3—1 真空蒸发 165
3—2 合金 167
3—3 蒸发铝时常出现的问题及讨论 169
第四节 溅射技术 170
4—1 高频溅射 171
4—2 等离子溅射 172
5—1 银膏烧结 173
第五节 烧结 173
5—2 合金法烧结 174
第六节 引线焊接 175
6—1 热压焊接引线 176
6—2 超声键合连接引线 177
第九章 晶体管参数及测量 180
第一节 晶体管原理和特性 181
1—1 晶体管的放大原理 181
1—2 晶体管的伏安特性曲线 184
第二节 晶体管的放大特性参数 187
2—2 共发射极电流放大系数β 188
2—1 共基极电流放大系数α 188
2—3 怎样提高电流放大倍数 189
2—4 功率增益KP 191
第三节 晶体管的频率特性参数 192
3—1 基极电阻γbb 193
3—2 集电结电容Cc 194
3—3 特征频率fT 195
第四节 晶体管的极限参线 197
4—1 P—N结的雪崩击穿机理 197
4—2 击穿电压BVcbo，BVoeb？，BVceo的测量 198
4—3 如何提高击穿电压 200
4—4 二次击穿简介 202
4—5 集电极最大允许电流ICM 205
4—6 集电极最大允许耗散功率PCM 206
第五节 集电极—发射极间饱和压降VCES 208
第六节 晶体管的开关参数 210
第七节 晶体管的噪声系数 213
第十章 射频功率晶体管的设计 216
第一节 设计总则 216
第二节 管芯设计 218
第三节 管壳设计 231
第四节 工艺设计 233
附录 237