目录 1
一、生产试制总结 1
集成单稳态触发器电路定时精度的分析 1
长线驱动门与接收门 10
ST002脉冲鉴相器的工作原理和应用 15
四位二选一数据选择器（正码输出） 19
T4604×4寄存器堆试制报告 21
双极型四位加法器 30
光刻掩膜版标准问题的讨论 44
硅片腐蚀及SiO2抛光工艺 48
外延工艺的改进 51
氮化硅钝化膜在中规模集成电路上的应用 53
增加基区浓度改善了J-K触发器的参数 56
集成电路芯片的检验 58
T217可逆十进制计数器失效率考核试验 71
中规模集成电路综合测试仪 73
集成电路的计算机辅助测试 78
二、译文 85
小规模硅外延淀积系统 85
扩散引起的形变和位错对硅中磷扩散的影响 90
扩散电流效应的一维理论和增强型绝缘栅场效应晶体管电流－电压特性中的载流子饱和速度 95
采用多晶硅自调整法的高速大容量双极型器件 108
无掺杂多晶硅的电子特性 113
改进型超前进位加法器 120