目录 1
—、半导体发光器件综述 1
二、发光材料与工艺 15
（一）注入型场致发光的材料与工艺 15
1．SiAs材料 15
2．GaN材料—GaN的物理性质及其晶体生长法 16
3．GaP材料 31
（1）制备红色发光二极管用的GaP材料晶体生长 32
（2）制备绿色发光二极管用的GaP材料液相外延生长法 39
（3）GaP的切克劳斯基生长法 44
（4）GaP的新制法——SSD法 55
4．InP材料——用液封法生长的InP单晶的制备和电学性质 66
5．GaAs1-XPX材料 75
（1）GaAs1-XPX材料及其工艺简述 75
（2）GaAs1-χPχ晶体生长 89
6．以Ⅲ—Ⅴ族为中心的化合物半导体的进展 98
（二）本征型场致发光的材料与工艺 107
1．GaAs材料 107
（1）用液相包封技术制备无位错GaAs单晶 107
（2）高纯GaAs气相外延的一种新方法 113
（3）GaAs中的锡扩散 123
（4）GaAs抛光技术的改进 137
2．关于Yb3+、Er3+掺杂的氟化物红外激发的可见光发光机理 140
3．场致发光的结构——关于原料问题 149
4．ZnS的直流场致发光 154
5．ZnO磷光体系统的场致发光 179
6．制备黄色场致发光粉的新方法 186
7．一种新的低压场致发光层的制备方法 190
8．场致发光层的电泳涂敷工艺 193
1．显示用的液晶材料 199
（三）液晶材料与工艺 199
2．液晶显示屏的制作工艺 205
（四）新技术、新工艺液相外延新工艺 214
三、器件的制作与应用 223
（一）发光二极管的一般介绍 223
1．发光二极管的设计 223
2．GaN发光二极管 251
3．ZnSe黄色发光二极管 261
4．GaP发光二极管 268
5．GaP发光器件的可靠性 284
6．GaP数字显示装置（反射型） 294
7．磷光体——二极管组合的固体灯 312
8．Ⅱ—Ⅵ族异质结的场致发光 318
9．液相外延生长的ZnSe—ZnTe异质结的绿色场致发光 334
1．发光二极管的制备 339
（二）发光二极管的制作 339
2．发光二极管制备技术 342
（三）液晶显示器制作液晶显示器件 357
（四）应用 367
1．GaP多位数字显示装置 367
2．数字式固态显示器 377
3．固体发光文字显示器件 386
四、附录 407
（一）各种显示方式的特性比较表 407
（二）主要的光电转换元件材料及性质 409
（三）国际上几种不同材料的发光二极管典型性能比较 411
（四）各种显示器件的特性比较 412
（五）日产发光二极管、数码管特性一览表 414
（六）国产半导体型号命名法 450
（七）四机部四所关于“国产半导体型号命名法”的修改稿 452