目录 1
（上册） 1
1、电子学的新纪元 1
1—1工艺学 1
1—2薄膜电路 3
1—3半导体单片电路 5
1—4相容集成电路 7
1—5多片（混合）集成电路 8
1—6绝缘衬底单片电路 12
1—7集成电路的优点 12
1—8集成电路对工业的影响 22
1—9集成电路现状 27
2、基本半导体理论 32
2—1硅原子 32
2—2晶体结构 33
2—3电子和空穴 34
2—4电阻率 38
2—5电阻 41
2—6硅中的杂质浓度 41
2—7p-型材料 42
2—8n-型硅 44
2—9杂质材料的电阻率 44
2—10含杂质硅中少数载流子的浓度 45
2—11小结 46
3、p—n结的特性 48
3—1整流 48
3—2整流器作用 51
3—3p—n结的电容效应 54
3—4p—n结的电压击穿 58
3—5小结 62
3—6结论 63
4—1晶体管的作用 64
4、晶体管基础 64
4—2信号放大 69
4—3晶体管的频率响应——普通情况 78
4—4共发射极电路的频率响应 81
4—5晶体管的物理特性对电学性能的影响 82
4—6晶体管基础概要 87
4—7晶体管的发展 88
4—8合金晶体管 89
4—9台面晶体管 93
4—10外延台面 96
4—11硅外延平面晶体管 97
4—12环形晶体管 99
4—13集成晶体管 101
5、单片集成电路 102
5—1扩散——一种重要的工艺 105
5—2选择扩散 108
5—3制造工艺程序 113
5—4封装 121
5—5扩散单片电路的元件 125
5—6单片电路的有源元件 125
5—7全扩散单片电路的晶体管 126
5—8单片电路的二极管 130
5—9无源半导体元件 131
5—10扩散的硅电阻器 132
5—11单片电路中的扩散电阻 134
5—12扩散电容 142
5—13单片半导体电路的特性 150
6、薄膜集成电路及其特性 152
6—1薄膜元件 153
6—2电阻 153
6—3电容 155
6—4工艺过程 156
6—5有源元件的连接 160
6—6优点和局限性 162
7—1多片电路 165
7、混合集成电路和其他集成电路结构 165
7—2多片电路的扩散电阻 166
7—3多片电路的扩散结电容 170
7—4多片电路的薄膜电容 170
7—5多片电路结构 171
7—6多片电路的应用 172
7—7相容集成电路技术 173
7—8相容集成电路的制造 174
7—9可靠性考虑 178
7—10复合集成电路 180
7—11绝缘衬底电路 181
（下册） 185
8、集成电路的封装 185
8—1电路的封装 186
8—2TO－型封装 186
8—3扁平封装 188
8—4塑料封装 190
8—5实际封装的考虑 192
8—6封装测试 195
8—7系统封装 200
8—8未来的封装趋向 202
9、标准集成电路的分析 207
9—1集成电路设计原理 207
9—2标准数字电路 208
9—3饱和开关 216
9—4主要饱和逻辑系列介绍 219
9—5电流型逻辑 231
9—6标准线性电路 236
9—7一个基本的电路 237
9—8基本差分放大器的工作 238
9—9差分放大器的重要特性 241
9—10实用的线性集成电路 242
9—11一个简单的差分放大器 243
9—12全差分放大器级 246
9—13达林顿电路 248
9—15运算放大器 251
9—14温度补偿 251
9—16标准运算放大器 253
9—17稳定的运算放大器 255
9—18射频／中频放大器 257
9—191瓦集成功率放大器 261
9—20宽带（视频）放大器 266
9—21结论 269
10—1经济考虑 271
10、实际的集成电路设计 271
10—2工艺状况 274
10—3单片电路设计入门 278
10—4最初的设计考虑 284
10—5什么能够被集成？ 285
10—6管壳类型 287
10—7电路设计——自由处和限制处 293
10—9模拟试验和测试 295
10—8有效元件值 295
10—10设计例子 299
10—11设计周期 311
11、单片电路布局原理 314
11—1研制模拟电路 315
11—2内部布局考虑 316
11—3元件图形 317
11—4设计隔离区 319
11—5电路布局 324
11—6设计原则小结 329
12、大规模集成 334
12—1达到大规模集成的方法 334
12—2选择布线 335
12—3大规模集成的多单元方法 339
12—4计算机辅助设计 341
12—5大规模集成的技术方面 344
名词解释 347