前 言 1
目 录 1
第一章衬底材料 4
第一节拉单晶 4
§1—1—1单晶生长机理 4
§1—1—2单晶生长方法 5
§1—1—3硅单晶的物理测试 8
§1—2—1硅片的定向 15
§1—2—2硅片的切割 15
第二节硅片的切割和研磨 15
§1—2—3硅片的研磨 16
第三节硅片的抛光 18
§1—3—1机械抛光 18
§1—3—2化学机械抛光 19
§1—3—3二氧化硅乳胶抛光 21
第二章化学清洗 23
第一节清洗的一般常识 23
§2—1—1为什么要清洗 23
§2—1—2硅片表面杂质沾污情况 24
§2—2—1有机溶剂的去污作用 25
第二节化学清洗 25
§2—2—2肥皂和合成洗涤剂的去污原理 27
§2—2—3超声波在化学清洗中的作用 28
§2—2—4无机酸的去杂质作用 29
§2—2—5络合反应及络合物在清洗中的应用 31
§2—2—6氧化还原反应在清洗中的应用 33
第三节去离子水 35
§2—3—1去离子水的制备 36
§3—2去离子水的纯度及测量 38
附注：1． 其它材料、器皿、用具的清洗方法 40
2．安全生产常识 41
第三章外延技术 42
第一节外延方法 43
§3—1—1氢还原四氯化硅法 43
§3—1—2硅烷热分解法 46
第二节材料的纯度和要求 47
§3—2—1四氯化硅纯度要求 48
§3—2—2氢气的纯化和要求 49
§3—2—3石墨加热器的处理 51
第三节外延生长设备 51
§3—3—1气体控制系统 51
§3—3—3外延反应室 52
§3—3—2高频炉 52
§3—3—4 SiCl4挥发器 53
第四节外延层的检验方法 54
§3—4—1电阻率的检验方法 54
§3—4—2外延层厚度的测量 58
§3—4—3层错及位错的检验方法 60
§3—4—4夹层检验方法 61
第五节外延层质量分析 62
§3—5—1电阻率分布问题 62
§3—5—2厚度均匀性问题 62
§3—5—3外延层缺陷问题 63
第四章氧化技术 65
第一节氧化原理及方法 65
§4—1—1热氧化 65
§4—1—2低温淀积氧化硅 68
§4—1—3其它氧化方法 73
第二节二氧化硅的性质和用途 74
§4—2—1 SiO2膜的性质 74
§4—2—2SiO2膜的用途 77
第三节氧化层质量的检测 78
§4—3—1氧化层质量检验 78
§4—4—1理想表面与真实表面的 83
Si—SiO2界面 83
第四节硅和二氧化硅界面态 83
§4—4—2杂质在Si—SiO2界面的分布 87
§5—1—1扩散机理 89
第一节扩散的基本知识 89
§4—3—2二氧化硅厚度的测量 89
第五章扩散 89
§5—1—2扩散规律 92
§5—1—3实际计算表面杂质浓度的方法 96
第二节扩散方法 101
§5—2—1液态源扩散 102
§5—2—2箱法扩散 108
§5—2—3固－固扩散 110
§5—2—4其它扩散方法 112
第三节扩散层质量的检验 113
§5—3—1表面电阻率的测量 113
§5—3—2结深的测量 115
第四节扩散层质量分析 116
§5—4—1方块电阻的偏高或偏低的原因 116
§5—4—2扩散的均匀性和重复性 117
§5—4—3扩散表面问题的讨论 118
§5—4—4击穿电压的讨论 119