上册 3
第一部分：基础通用标准 3
GB/T 2296—2001 太阳电池型号命名方法 3
GB/T 2297—1989 太阳光伏能源系统术语 11
GB/T 14264—2009 半导体材料术语 39
GB/T 14844—1993 半导体材料牌号表示方法 88
第二部分：硅片标准 95
GB/T 6616—2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 95
GB/T 6617—2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 103
GB/T 6618—2009 硅片厚度和总厚度变化测试方法 111
GB/T 6619—2009 硅片弯曲度测试方法 121
GB/T 6620—2009 硅片翘曲度非接触式测试方法 131
GB/T 6621—2009 硅片表面平整度测试方法 141
GB/T 11073—2007 硅片径向电阻率变化的测量方法 147
GB/T 12965—2005 硅单晶切割片和研磨片 161
GB/T 14140—2009 硅片直径测量方法 169
GB/T 19444—2004 硅片氧沉淀特性的测定—间隙氧含量减少法 178
YS/T 26—1992 硅片边缘轮廓检验方法 184
DB61/T 512—2011 太阳电池用单晶硅片检验规则 187
第三部分：电池与组件标准 197
GB 5237.1—2008 铝合金建筑型材 第1部分：基材 197
GB 5237.2—2008 铝合金建筑型材 第2部分：阳极氧化型材 217
GB 5237.3—2008 铝合金建筑型材 第3部分：电泳涂漆型材 227
GB/T 6497—1986 地面用太阳电池标定的一般规定 238
GB/T 11010—1989 光谱标准太阳电池 245
GB/T 11011—1989 非晶硅太阳电池电性能测试的一般规定 250
GB/T 6495.1—1996 光伏器件 第1部分：光伏电流-电压特性的测量 259
GB/T 6495.2—1996 光伏器件 第2部分：标准太阳电池的要求 264
GB/T 6495.3—1996 光伏器件 第3部分：地面用光伏器件的测量原理及标准光谱辐照度数据 270
GB/T 6495.4—1996 晶体硅光伏器件的I-V实测特性的温度和辐照度修正方法 283
GB/T 6495.5—1997 光伏器件 第5部分：用开路电压法确定光伏（PV）器件的等效电池温度（ECT） 289
GB/T 6495.7—2006 光伏器件 第7部分：光伏器件测量过程中引起的光谱失配误差的计算 294
GB/T 6495.8—2002 光伏器件 第8部分：光伏器件光谱响应的测量 299
GB/T 6495.9—2006 光伏器件 第9部分：太阳模拟器性能要求 307
GB/T 9535—1998 地面用晶体硅光伏组件 设计鉴定和定型 314
GB/T 18911—2002 地面用薄膜光伏组件 设计鉴定和定型 339
GB/T 18912—2002 光伏组件盐雾腐蚀试验 369
GB/T 19394—2003 光伏（PV）组件紫外试验 373
GB/T 20047.1—2006 光伏（PV）组件安全鉴定 第1部分：结构要求 379
DB61/T 513—2011 地面用晶体硅太阳电池检验规则 391
DB61/T 514—2011 地面用晶体硅光伏组件用原材料检验规则 401
DB61/T 515—2011 地面用晶体硅光伏组件检验规则 417
DB61/T 516—2011 光伏器件 第10部分：线性测量方法 425