《CMOS超大规模集成电路设计 第4版》PDF下载

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  • 作  者:(美)韦斯特,(美)哈里斯著
  • 出 版 社:北京:电子工业出版社
  • 出版年份:2012
  • ISBN:9787121174704
  • 页数:712 页
图书介绍:本书是本经典教材,该版本反映了近年来集成电路设计领域面貌的迅速变化,突出了延时、功耗、互连和鲁棒性等关键因素的影响。内容涵盖了从系统级到电路级的CMOS VLSI设计方法,介绍了CMOS集成电路的基本原理,设计的基本问题,基本电路和子系统的设计,以及CMOS系统的设计实例(包括一系列当前设计方法和CMOS的特有问题,以及测试、可测性设计和调试等技术)。全书加强了对业界积累的许多宝贵设计经验的介绍。

第1章引论 1

1.1集成电路简史 1

12概述 5

1.3MOS晶体管 5

1.4CMOS逻辑 7

1.5CMOS的制造和版图 17

1.6设计划分(DesignPaitioning) 25

1.7举例:一个简单的MIPS微处理器 28

1.8逻辑设计 33

1.9电路设计 36

1.10物理设计 39

1.11设计验证 45

1.12制造、封装和测试 46

本章小结和本书概要 47

习题 49

第2章MOS晶体管原理 51

2.1引言 51

2.2长沟道晶体管的I-V特性 54

2.3C-V特性 57

2.4非理想的I-V效应 61

2.5直流传输特性 73

2.6常见隐患与误区 78

本章小结 79

习题 80

第3章CMOS工艺技术 82

3.1引言 82

3.2CMOS工艺 83

3.3版图设计规则 93

3.4CMOS工艺增强技术 99

3.5与工艺相关的CAD问题 109

3.6有关制造的问题 111

3.7常见隐患与误区 114

3.8历史透视 115

本章小结 116

习题 117

第4章 延时 118

4.1引言 118

4.2瞬态响应 120

4.3 RC延时模型 122

4.4线性延时模型 130

4.5路径逻辑努力 138

4.6用于时序分析的延时模型 147

4.7常见隐患与误区 148

4.8历史透视 148

本章小结 149

习题 150

第5章 功耗 153

5.1引言 153

5.2动态功耗 157

5.3静态功耗 164

5.4能耗-延时的优化 170

5.5低功耗体系结构 173

5.6常见隐患与误区 175

5.7历史透视 176

本章小结 177

习题 178

第6章 互连线 179

6.1引言 179

6.2互连线建模 180

6.3互连线的影响 186

6.4互连线设计 194

6.5考虑互连线时逻辑努力方法的应用 199

6.6常见隐患与误区 201

本章小结 201

习题 201

第7章 鲁棒性 203

7.1引言 203

7.2扰动 203

7.3可靠性 207

7.4按比例缩小 215

7.5扰动的统计分析 222

7.6容扰动设计 233

7.7常见隐患与误区 235

7.8历史透视 236

本章小结 239

习题 240

第8章 电路模拟 241

8.1引言 241

8.2 SPICE模拟器简介 241

8.3器件模型 251

8.4器件表征 255

8.5电路表征 264

8.6互连线模拟 269

8.7常见隐患与误区 272

本章小结 273

习题 274

第9章 组合电路设计 275

9.1引言 275

9.2电路系列 276

9.3电路隐患 301

9.4其他电路系列 307

9.5绝缘体上硅的电路设计 307

9.6亚阈值电路设计 310

9.7常见隐患与误区 312

9.8历史透视 313

本章小结 315

习题 316

第10章 时序电路设计 319

10.1引言 319

10.2静态电路的时序控制 319

10.3锁存器和触发器的电路设计 332

10.4静态时序元件设计方法学 342

10.5动态电路的时序控制 350

10.6同步器 350

10.7行波流水 358

10.8常见隐患与误区 359

10.9案例研究:Pentium 4和Itanium 2的时序控制策略 360

本章小结 360

习题 362

第11章 数据通路子系统 364

11.1引言 364

11.2加法/减法 364

11.3 1/0检测器 391

11.4比较器 392

11.5计数器 394

11.6布尔逻辑运算 397

11.7编码 397

11.8移位器 400

11.9乘法 404

11.10并行前置计算 417

11.11常见隐患与误区 420

本章小结 420

习题 420

第12章 阵列子系统 422

12.1引言 422

12.2 SRAM 423

12.3 DRAM 446

12.4只读存储器 450

12.5顺序存取存储器 456

12.6按内容寻址存储器 457

12.7可编程逻辑阵列 459

12.8鲁棒性好的存储器设计 462

12.9历史透视 465

本章小结 466

习题 466

第13章 专用子系统 468

13.1引言 468

13.2封装及冷却技术 468

13.3电源分布 472

13.4时钟 482

13.5 PLL和DLL 494

13.6 I/O 503

13.7高速链接 509

13.8随机电路 521

13.9常见隐患与误区 522

本章小结 523

习题 524

第14章 设计方法学与工具 525

14.1引言 525

14.2结构设计策略 526

14.3设计方法 534

14.4设计流程 542

14.5设计经济学 551

14.6数据表和文档 558

14.7 CMOS物理设计风格 560

14.8常见隐患与误区 560

习题 560

第15章 调试与验证 561

15.1引言 561

15.2测试仪、测试夹具和测试程序 566

15.3逻辑验证原理 570

15.4硅片调试原理 572

15.5制造测试原理 575

15.6可测性设计 579

15.7边界扫描 585

15.8大学环境下的测试 586

15.9常见隐患与误区 586

本章小结 592

习题 592

附录A硬件描述语言 593

参考文献 665

索引 694