导论 1
一、声表面波 1
二、声电荷传输器件 2
三、电荷耦合器件技术发展概况 2
（一）引言 2
（二）发展概况 3
四、静磁波技术发展概况 4
（一）引言 4
（二）发展概况 4
第一章 声表面波原理及器件 7
1.1 声表面波 7
1.1.1 各向同性弹性固体表面的声表面波 7
1.1.2 各向异性弹性固体中的声表面波 10
1.2.1 概述 11
1.2 声表面波器件用的压电材料 11
1.2.2 压电材料的声表面波特性 12
1.3 声表面波换能器 15
1.3.1 声表面波换能器 15
1.3.2 声表面波叉指换能器分析 16
1.4 声表面波器件 19
1.4.1 声表面波滤波器 21
1.4.2 电视中频滤波器设计 26
1.4.3 声表面波谐振器 27
1.4.4 匹配滤波器 33
1.4.5 声表面波卷积器 37
1.5 浅体声波器件 39
1.5.1 概述 39
1.5.2 掠面体波器件 40
1.5.3 能陷栅的应用 41
1.6.1 引论 42
1.6 声光器件 42
1.6.2 声表面波—光器件 43
1.7 二阶效应及衍射的影响 44
1.8 声表面波器件的计算机辅助设计 45
1.9 声表面波器件的敏感度 47
第二章 声表面波频率源 49
2.1 声表面波振荡器 49
2.2 声表面波振荡器的频率稳定性 51
2.2.1 短期频率稳定性 51
2.2.2 振动灵敏度 52
2.2.3 温度稳定性 53
2.2.4 长期频率稳定性 53
2.3 声表面波跳频技术 53
2.3.1 注入法实现跳频 54
2.3.2 滤波器组式跳频 55
第三章 声电荷传输器件 57
3.1 声电荷传输器件基本工作原理 57
3.1.1 器件的基本结构 57
3.1.2 电荷包的产生与传输 57
3.2 电荷包的无损读出 59
3.3 声电荷模拟存储器 60
3.4 异质结声电荷传输器件 61
3.5 可能的注入技术 62
3.6 器件参数 62
3.7 ACT与其它信号处理技术比较 64
3.8 ACT器件的几个问题讨论 64
第四章 电荷耦合器件 67
4.1 电荷耦合器件原理 67
4.1.1 前言 67
4.1.3 电荷耦合 69
4.1.2 电荷处理容量 69
4.1.4 电荷传输 70
4.1.5 表面态对转移损失率的影响 75
4.2 CCD的输入-输出结构 77
4.2.1 CCD的电荷注入 77
4.2.2 光信号注入 78
4.2.3 CCD的电荷输出 78
4.3 CCD的物理性能 78
4.3.1 信号处理能力 78
4.3.2 转移损失率 82
4.3.3 噪声 93
4.4 CCD器件 96
4.4.1 延迟型器件 96
4.4.2 摄像型器件 98
4.4.3 其它CCD器件 99
第五章 静磁波器件 101
5.1 静磁波概述 101
5.2 静磁波器件原理 102
5.2.1 静磁波的激励 102
5.2.2 静磁波的控制和检测 104
5.3 常用静磁波器件 106
5.3.1 引言 106
5.3.2 延迟线 107
5.3.3 其它器件 115
第六章 模拟信号处理 119
6.1 声表面波器件的信号处理功能 119
6.2 声电荷传输器件的信号处理功能 120
6.2.1 声电荷传输可编程抽头延迟线 120
6.2.2 ACT线性调频滤波器 120
6.2.3 可编程ACT带通滤波器 121
6.2.4 多功能可编程ACT技术 123
6.2.5 ACT信号微处理器 125
6.3 用CCD实现的信号处理技术 127
6.3.1 CCD自适应滤波 127
6.3.2 时间—展宽压缩技术 136
6.3.3 CCD摄像 137
6.4 用静磁波器件实现的信号处理技术 140
6.4.1 引言 140
6.4.2 MSW信号处理能力 140
6.5 混合信号处理 143
6.5.1 数字—sAW信号处理 143
6.5.2 计算机—数字—sAW混合系统 146
6.5.3 CCD—sAW信号处理 147
6.5.4 SAW—光信号处理 151
6.5.5 声表面波成像 155
6.6 声表面波传感技术 157
7.1.1 集成电路制造 159
第七章 工艺概述 159
7.1 集成电路工艺概述 159
7.1.2 常规平面工艺 160
7.1.3 微细加工技术 176
7.2 CCD器件工艺流程 180
7.2.1 引言 180
7.2.2 铝栅工艺 180
7.2.3 常用的CCD工艺 181
7.2.4 CCD器件工艺流程 183
7.3 声表面波器件工艺流程 183
7.3.1 声表面波器件制作工艺流程 184
7.3.2 ZnO薄膜声表面波器件工艺 185
7.3.3 沟槽式声表面波器件制作工艺 186
7.4 静磁波器件工艺流程 187
参考文献 188