第一章 半导体材料概述 1
1-1 半导体材料的发展与分类 1
1-2 半导体材料的化学键和典型晶体结构 6
1-3 材料的组成和结构及其与性能的关系 19
参考文献 28
第二章 相平衡和相图 31
2-1 相律 32
2-2 单元系相图 36
2-3 二元系相图及其应用 40
2-4 三元系相图基础 57
参考文献 67
第三章 锗、硅的化学提纯 68
3-1 锗、硅的性质 68
3-2 锗的化学提纯 73
3-3 硅的化学提纯 76
3-4 气体的吸附提纯 84
3-5 反应平衡体系的热力学计算 87
3-6 反应平衡体系的矩阵表示方法 99
参考文献 107
第四章 锗、硅的区熔提纯 109
4-1 分凝现象与分凝系数 109
4-2 区熔提纯原理 117
4-3 锗的区熔提纯 125
4-4 硅的悬浮区熔提纯 129
参考文献 145
第五章 晶体生长 146
5-1 晶体生长的一般原理 146
5-2 从熔体生长晶体的热输运 167
5-3 锗、硅晶体的制备 174
参考文献 183
第六章 锗、硅单晶中的杂质 184
6-1 杂质在锗、硅中的物理性质 184
6-2 杂质在锗、硅中的扩散 201
6-3 熔体中生长锗、硅单晶的掺杂 208
6-4 中子嬗变掺杂与离子注入掺杂 223
参考文献 233
第七章 硅、锗单晶中的缺陷 235
7-1 晶体中的点缺陷 235
7-2 位错 241
7-3 锗、硅单晶中的面缺陷 257
7-4 硅单晶中的微缺陷 263
7-5 半导体加工过程中的二次缺陷 269
参考文献 279
第八章 硅外延 281
8-1 硅外延概述 282
8-2 硅外延生长的基本原理 285
8-3 外延层中的杂质扩散 300
8-4 外延层中的缺陷 309
8-5 硅的异质外延 314
参考文献 323
第九章 多晶硅、非晶硅等薄膜材料和一些反应动力学问题 325
9-1 多晶硅、氮化硅、氧化硅等薄膜材料 325
9-2 非晶硅材料 332
9-3 硅中氧的热施主效应的反应动力学分析 340
9-4 硅的热氧化反应动力学 344
9-5 硅烷热分解的薄膜淀积动力学 348
9-6 低压化学汽相淀积（LPCVD）薄膜淀积的理论模拟 352
参考文献 358
第十章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的特性 360
10-1 晶体的极性 360
10-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物能带结构及某些效应 367
10-3 杂质在砷化镓中的行为 378
10-4 砷化镓单晶中的点缺陷和深能级陷阱 388
参考文献 394
第十一章 Ⅲ-Ⅴ族化合物的合成及晶体生长 395
11-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物相图和制备原理 395
11-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物的合成和单晶生长方法 399
11-3 Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶的质量控制 411
11-4 半绝缘单晶材料的热稳定性 420
11-5 器件对砷化镓衬底单晶的要求 428
参考文献 430
第十二章 Ⅲ-Ⅴ族化合物外延生长 432
12-1 汽相外延 432
12-2 液相外延 461
12-3 分子束外延 474
参考文献 480
第十三章 Ⅲ-Ⅴ族多元固溶体 482
13-1 异质结和晶格失配 484
13-2 镓砷磷半导体发光材料 489
13-3 镓铝砷半导体激光材料 502
13-4 铟镓砷磷材料 512
参考文献 519
第十四章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 520
14-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构 521
14-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物体系的相平衡及晶体生长 524
14-3 Ⅱ-Ⅵ族材料的点缺陷化学 540
14-4 Ⅱ-Ⅵ族化合物的多元固溶体（Hg1-xCdxTe） 556
参考文献 570
第十五章 其他半导体材料 571
15-1 Ⅳ-Ⅵ族化合物窄带半导体 571
15-2 Ⅴ-Ⅵ族化合物热电半导体 576
15-3 氧化物气敏半导体 579
15-4 稀土化合物磁性半导体 582
15-5 硫系玻璃半导体 586
15-6 黄铜矿型半导体 589
15-7 有机半导体 591
参考文献 596
第十六章 半导体材料基本性质的测量 598
16-1 晶向的确定 598
16-2 位错检测 600
16-3 导电类型的测量 603
16-4 电阻率测量 605
16-5 材料杂质分布测量 610
16-6 非平衡载流子的寿命测量 612
16-7 红外吸收法测量硅中氧、碳含量 614
16-8 材料补偿度的测量 616
16-9 膜厚的测量 619
参考文献 630
索引 632