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第一章 CMOS电路的发展和特点 11
第二章 CMOS电路设计理论 11
2.1 引言 11
2.2 MOS绝缘栅场效应晶体管 11
2.3 CMOS倒相器 15
2.3.1 直流传输特性 18
2.3.2 直流转移特性 24
2.3.3 直流噪音容限 25
2.3.4 瞬态特性 35
2.3.5 功耗 46
2.4 多输入端门 50
2.5 传输门 57
2.5.1 单沟道传输门的分析 59
2.5.2 CMOS传输门 66
2.6.1 二输入端与非门设计 81
2.6 设计举例 82
2.6.2 D型触发器设计 88
2.7 强负载门设计介绍 96
2.8 版图设计 104
第三章 CMOS电路工艺 108
3.1 引言 108
3.2 标准工艺 110
3.3 离子注入工艺 115
3.3.1 形成P阱 116
3.3.2 调整阈电压 118
3.3.3 实现自对准 120
3.4 硅栅工艺 122
3.5 复合栅工艺 127
3.6 SOS工艺 131
第四章 CMOS电路的基本参数 136
4.1 引言 136
4.2 静态参数 136
4.2.1 输出高电平和输出低电平 136
4.2.2 最小输入高电平和最大输入低电平 138
4.2.3 直流噪音容限 139
4.2.4 输入阻抗 141
4.2.5 输出驱动电流 142
4.2.6 静态功耗 145
4.3 动态参数 146
4.3.1 各时间参数的定义和测试 146
4.3.2 最高工作频率和最大时钟频率 150
4.3.3 最大时钟上升(下降)时间 151
4.3.4 输入电容 152
4.4 门电路的直流特性 153
4.3.5 动态功耗 153
4.4.1 传输特性 154
4.4.2 转移特性 156
4.4.3 对电路内部MOS晶体管的测试 159
4.5 传输门测量 162
4.5.1 传输特性 162
4.5.2 通导电阻 163
4.5.3 截止电阻 165
4.5.4 串扰 165
4.5.5 频率响应 166
4.5.6 延迟时间 168
4.5.7 电容 169
4.5.8 功耗 171
4.6 极限参数 172
4.6.1 电源电压 172
4.6.2 输入电压和输入电流 173
4.6.3 工作温度和存贮温度 174
5.2 输入保护 175
5.2.1 单二极管保护电路 175
5.1 引言 175
第五章 逻辑设计中的CMOS电路 175
5.2.2 电阻二极管保护电路 181
5.3 不使用的输入端和输入端的扩展 186
5.4 门的并联使用 188
5.4.1 多输入端门的输入端并联 188
5.4.2 门和倒相器的并联 189
5.5 CMOS电路与其他类型电路的接口 189
5.6 三态输出 198